[发明专利]金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种金属氧化物半导体场效应晶体管制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一基板，所述基板包括相背的第一侧和第二侧；

从所述第一侧生长第一氧化层，并通过光刻的方式形成横向变掺杂所需的图形；

基于所述第一氧化层进行终端掺杂，并进行推结和氧化，形成第二氧化层；

从所述第一侧光刻形成源区所需图形，并进行磷注入；

从所述第一侧通过干氧扩散形成栅极氧化层；

在氮气环境下进行结型场效应晶体管区域推结；

进行多晶淀积，并通过三氯氧磷进行激活；

从所述第一侧通过光刻和/或干法刻蚀形成源区及横向变掺杂终端的多晶场边图形；

从所述第一侧针对源区进行硼注入，并进行P阱光刻和注入；

从所述第一侧进行N型杂质注入；

从所述第一侧淀积第三氧化层和硼磷硅玻璃；

从所述第一侧通过光刻形成贯穿所述第三氧化层和硼磷硅玻璃的接触孔；

从所述第一侧淀积形成铝金属层，并对所述铝金属层进行光刻形成预设图案；

在所述基板的第二侧通过光刻形成设定图案；

从所述基板的第二侧注入P型杂质，并在氮气和氢气氛围下的进行激活；

在所述基板第二侧蒸发金属。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述从所述第一侧生长第一氧化层，并通过光刻的方式形成横向变掺杂所需的图案的步骤，包括：

在所述基板的第一册的表面通过热氧生长形成0.3um到0.5um第一氧化层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述第一氧化层进行终端掺杂并进行推结和氧化，形成第二氧化层的步骤，包括：

按照剂量为5E12到8E12，能量为60keV到90keV的离子注入条件，基于所述第一氧化层102进行硼离子注入，并在1000℃到1100℃的温度条件下进行推结和氧化，形成1.5um到2.0um的第二氧化层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述从所述第一侧光刻形成源区所需图形，并进行磷注入的步骤，包括：

从所述第一侧通过光刻工艺形成源区所需图形，在剂量为2.2E12，能量为100keV的离子注入条件下进行磷注入；

所述从所述第一侧通过干氧扩散形成栅极氧化层的步骤，包括：

在1000℃的温度条件下从所述第一侧进行118到138分钟的通干氧扩散，形成0.09到0.1um的栅极氧化层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在氮气环境下进行结型场效应晶体管区域推结的步骤，包括：

在1150℃的氮气环境下进行300分钟的结型场效应晶体管区域推结。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述进行多晶淀积通过三氯氧磷进行激活的步骤，包括：

淀积0.6um到0.8um的多晶，并通过三氯氧磷进行激活；

所述从所述第一侧针对源区进行P阱光刻和注入的步骤，包括：

从所述第一侧针对源区按照剂量为3E13到5E13、能量为80keV的离子注入条件进行硼注入；

针对P阱进行光刻，并在剂量为7E14到9E14、能量为60keV的离子注入条件下进行硼注入。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述从所述第一侧进行N型杂质注入的步骤，包括：

对所述第一侧的第二氧化层进行干法腐蚀，以减薄所述氧化层；

在1150℃的温度条件下进行30分钟的P阱推结；

基于剂量为计量2E15到5E15、能量为120keV的离子注入条件进行砷注入，并在600摄氏度的温度条件下进行2小时的氮气退火。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述从所述第一侧淀积第三氧化层和硼磷硅玻璃的步骤，包括：

从所述第一侧淀积0.2um的第三氧化层和0.8um硼磷硅玻璃，并在950℃到1000℃的温度条件下进行20分钟回流处理。