[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

至少两个半导体裸片，所述裸片中的每一者包含半导体衬底及形成于所述半导体衬底上的外延层；

用于电隔离所述两个半导体裸片的隔离结构，所述隔离结构包括填充有第一介电材料的隔离沟槽；

所述沟槽横穿所述至少两个半导体裸片的厚度；且

所述半导体裸片的底部没有被除原生氧化物以外的氧化物覆盖。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述至少两个半导体裸片在所述外延层上制作有电路元件，使得所述电路元件的端子节点在所述半导体裸片的顶部表面上是可接达的。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括囊封所述两个半导体裸片的第二介电材料。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述第一介电材料与所述第二介电材料不同。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述第一介电材料与所述第二介电材料相同。

6.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述隔离结构包括第一隔离结构及第二隔离结构，其中所述第一隔离结构填充有所述第一介电材料且所述第二隔离结构填充有所述第二介电材料；并且，所述第一介电材料与所述第二介电材料不同。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述第一隔离结构包括多个子沟槽。

8.根据权利要求1到7中任一权利要求所述的半导体装置，其进一步在所述半导体裸片内包括沟道，其中金属层镀覆在所述沟道中及所述半导体衬底的底部表面上。

9.一种用于制造半导体装置的方法，所述方法包括：

提供具有至少两个半导体裸片的单片式裸片，其中所述裸片中的每一者包含衬底及形成于所述衬底上的外延层；

形成分隔所述两个裸片的隔离结构，其中所述隔离结构横穿所述两个半导体裸片的厚度。

10.根据权利要求9所述的方法，其中通过采用前端蚀刻工艺而形成隔离结构。

11.根据权利要求9所述的方法，其中通过采用后端蚀刻工艺而形成隔离结构。

12.根据权利要求9所述的方法，其中通过协同采用前端蚀刻工艺及后端蚀刻工艺而形成隔离结构。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述隔离结构包括多个子沟槽。

14.根据权利要求9到13中任一权利要求所述的方法，其进一步包括在所述半导体裸片内形成沟道。

15.根据权利要求14所述的方法，其进一步包括在所述沟道内及所述半导体裸片的底部表面上形成金属层。