[发明专利]多级3D堆叠式封装和其形成方法

权利要求书

1.一种多级三维(3D)封装，包括：

●下部封装级，其包含下部重布结构和在所述下部重布结构上方的下部裸片区段，其中：

●所述下部裸片区段包含下部薄化裸片、下部模制化合物、下部中间模制化合物和下部竖直通孔结构，其中所述下部薄化裸片和所述下部模制化合物设置在所述下部重布结构上方，所述下部模制化合物围绕所述下部薄化裸片并且竖直地延伸超过所述下部薄化裸片的顶表面，以在所述下部薄化裸片上方和所述下部模制化合物内限定下部开口，所述下部中间模制化合物位于所述下部薄化裸片上方，并且填充所述下部模制化合物内的所述下部开口，并且每个下部竖直通孔结构延伸穿过所述下部模制化合物；

●所述下部薄化裸片基本上不包含硅基板，并且具有在几微米与几十微米之间的厚度；并且

●所述下部中间模制化合物的顶表面与所述下部模制化合物的顶表面是共面的；以及

●上部封装级，其包含在所述下部封装级上方的上部重布结构和在所述上部重布结构上方的上部裸片区段，其中：

●所述上部裸片区段包含上部薄化裸片、上部模制化合物和上部中间模制化合物，其中所述上部薄化裸片和所述上部模制化合物设置在所述上部重布结构上方，所述上部模制化合物围绕所述上部薄化裸片，并且竖直地延伸超过所述上部薄化裸片的顶表面，以在所述上部薄化裸片上方和所述上部模制化合物内限定上部开口，并且所述上部中间模制化合物位于所述上部薄化裸片上方且填充所述上部模制化合物内的所述上部开口；

●所述上部薄化裸片基本上不包含硅基板，并且具有在几微米与几十微米之间的厚度；并且

●所述上部中间模制化合物的顶表面与所述上部模制化合物的顶表面是共面的。

2.根据权利要求1所述的多级3D封装，其中：

●所述下部重布结构包含下部介电图案和在所述下部介电图案内的下部重布互连件；

●所述上部重布结构包含上部介电图案和在所述上部介电图案内的上部重布互连件；并且

●所述下部薄化裸片通过所述下部重布结构中的所述下部重布互连件、所述下部裸片区段中的所述下部竖直通孔结构以及所述上部重布结构中的所述上部重布互连件连接到所述上部薄化裸片。

3.根据权利要求2所述的多级3D封装，还包括形成于所述下部重布结构下方的多个凸块结构，其中：

●所述多个凸块结构中的每个通过所述下部介电图案连接到所述下部重布互连件；

●所述多个凸块结构彼此分离，并且从所述下部介电图案突出；并且●所述多个凸块结构是铜柱或焊球。

4.根据权利要求2所述的多级3D封装，其还包括竖直堆叠在所述下部封装级与所述上部封装级之间的一个或多个内部封装级，其中：

●所述一个或多个内部封装级中的每个包含内部重布结构和在所述内部重布结构上方的内部裸片区段；

●每个内部裸片区段包含内部薄化裸片、内部模制化合物、内部中间模制化合物和内部竖直通孔结构，其中所述内部薄化裸片和所述内部模制化合物设置在所述内部重布结构上，所述内部模制化合物围绕所述内部薄化裸片并且竖直地延伸超过所述内部薄化裸片的顶表面，以在所述内部薄化裸片上方和所述内部模制化合物内限定内部开口，所述内部中间模制化合物位于所述内部薄化裸片上方，并且填充所述内部模制化合物内的所述内部开口，并且每个内部竖直通孔结构延伸穿过所述内部模制化合物；

●所述内部薄化裸片基本上不包含硅基板，并且具有在几微米与几十微米之间的厚度；并且

●所述内部中间模制化合物的顶表面与所述内部模制化合物的顶表面是共面的。

5.根据权利要求4所述的多级3D封装，其中：

●每个内部重布结构包含内部介电图案和在所述内部介电图案内的内部重布互连件；并且

●所述下部薄化裸片、在所述一个或多个封装级中的每个中的所述内部薄化裸片以及所述上部薄化裸片通过所述下部重布结构中的所述下部重布互连件、所述下部裸片区段中的所述下部竖直通孔结构、每个内部重布结构中的所述内部重布互连件、每个内部裸片区段中的所述内部竖直通孔结构和所述上部重布结构中的所述上部重布互连件连接。