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[发明专利]紧凑型低噪声放大器系统-CN202310194547.9在审
发明人： B·斯科特;M·穆尔古列斯库;G·马克西姆;P·迪西肯 -专利权人： QORVO美国公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本公开涉及紧凑型低噪声放大器系统。公开一种低噪声放大器系统。包括：主放大器，其具有耦合到RF输入的主输入和连接到RF输出的主输出；以及阻抗放大器，其具有耦合到所述RF输入的阻抗输入和耦合到所述RF输出的阻抗输出，其中所述阻抗放大器被配置成提供到所述主放大器的输入阻抗匹配。所述阻抗放大器还提供通过所述阻抗放大器的第一噪声路径，使得由所述阻抗放大器生成的噪声与通过经过所述主放大器的第二噪声路径的噪声大体上异相。
紧凑型低噪声放大器系统

[发明专利]具有寄生电容中和的低噪声放大器-CN202310331493.6在审
发明人： B·斯科特;P·迪西肯;G·马克西姆;M·穆尔古列斯库 -专利权人： QORVO美国公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：公开一种低噪声放大器系统。包括：主放大器，其具有耦合到RF输入的主输入和连接到RF输出的主输出；以及阻抗放大器，其具有耦合到所述RF输入的阻抗输入和耦合到所述RF输出的阻抗输出，其中所述阻抗放大器被配置成提供到所述主放大器的输入阻抗匹配。所述阻抗放大器还提供通过所述阻抗放大器的第一噪声路径，使得由所述阻抗放大器生成的噪声与通过经过所述主放大器的第二噪声路径的噪声大体上异相。中和放大器被配置成减少所述第一噪声路径内的寄生电容负载。
具有寄生电容中和低噪声放大器

[发明专利]使用偏置电路系统的功率放大器中的调幅调相AM-PM线性化-CN202310279680.4在审
发明人： B·斯科特;G·马克西姆 -专利权人： QORVO美国公司
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：本公开涉及使用偏置电路系统的功率放大器中的调幅调相AM‑PM线性化。公开了使用偏置电路系统的功率放大器中的调幅调相(AM‑PM)线性化，其固定功率放大器内的共源共栅晶体管的偏置。特别地，所述共源共栅晶体管可在饱和模式和三极管模式的操作之间切换。所述偏置被设定成使得对于从小信号到大信号的各种信号电平，所述共源共栅晶体管在相对于所述饱和模式的所述三极管模式中以固定占空比操作。示例性占空比是百分之五十(50％)，但可使用其它占空比。此偏置将使得所述共源共栅装置在宽信号电平范围内向所述功率放大器提供恒定电容。
使用偏置电路系统功率放大器中的调幅调相 am pm 线性化

[发明专利]功率放大器系统-CN202310069977.8在审
发明人： B·斯科特;G·马克西姆;M·格兰杰－琼斯 -专利权人： QORVO美国公司
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：公开了一种功率放大器系统，所述功率放大器系统具有主放大器，所述主放大器具有耦合到主射频(RF)输入的输入和连接到主RF输出的输出，其中所述主放大器展现具有压缩的非线性增益特性。至少一个压缩补偿放大器具有耦合到共同RF输入的信号输入和耦合到共同RF输出的信号输出。
功率放大器系统

[发明专利]具有竖直堆叠的裸片和循环器的前端模块-CN202180081682.1在审
发明人： J·C·科斯塔;G·马克西姆;D·R·W·莱波尔德;B·斯科特 -专利权人： QORVO美国公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01P1/387 文献下载
摘要：本公开描述了一种前端模块(FEM)和其制造方法。在所公开的FEM中，包含具有金属层的装置区域的薄化倒装芯片裸片驻留于模块载体上方。模制化合物驻留于所述模块载体上方、围绕所述薄化倒装芯片裸片，并且延伸超过所述薄化倒装芯片裸片的顶表面，以在所述薄化倒装芯片裸片的所述顶表面上方和所述模制化合物内限定开口。亚铁磁部分驻留于所述薄化倒装芯片裸片的所述顶表面上方和所述开口内，并且永磁部分驻留于所述亚铁磁部分上方和所述开口内。在本文中，所述永磁部分、所述亚铁磁部分与所述装置区域的所述金属层竖直对准，并且形成与所述薄化倒装芯片裸片竖直堆叠的循环器。
具有竖直堆叠循环器前端模块

[发明专利]多级3D堆叠式封装和其形成方法-CN202180081683.6在审
发明人： J·C·科斯塔;G·马克西姆;B·斯科特 -专利权人： QORVO美国公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本公开涉及一种具有竖直堆叠的多个封装级的多级三维(3D)封装。每个封装级包含重布结构和在所述重布结构上方的裸片区段。每个裸片区段包含基本上不包含硅基板并且具有几微米与几十微米之间的厚度的薄化裸片、模制化合物和中间模制化合物。在本文中，所述薄化裸片和所述模制化合物设置在所述重布结构上方，所述模制化合物围绕所述薄化裸片且竖直地延伸超过所述薄化裸片的顶表面以在所述薄化裸片上方且在所述模制化合物内限定开口，所述中间模制化合物位于所述薄化裸片上方且填充所述内部模制化合物内的所述开口，使得所述中间模制化合物的顶表面与所述模制化合物的顶表面共面。
多级堆叠封装形成方法

[发明专利]具有箝位和反馈保护电路系统的功率放大器-CN202310069968.9在审
发明人： B·斯科特;胡壮立;G·马克西姆;S·康;刘晖 -专利权人： QORVO美国公司
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：公开一种具有箝位和反馈保护电路系统的功率放大器。在一个方面，所述功率放大器最初由整体大小相对有限的快速作用的箝位电路保护。后续操作允许相对缓慢地作用的反馈环路主导对所述功率放大器的保护。通过提供各自针对特定保护阶段优化的两个保护电路，相关联保护电路系统的整体大小可减小，同时仍保护所述功率放大器免受故障引发条件的影响。
具有箝位反馈保护电路系统功率放大器

[发明专利]多频带射频前端电路-CN202310064147.6在审
发明人： G·马克西姆;B·斯科特;A·托马克 -专利权人： QORVO美国公司
申请日： 2023-02-06 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H04B1/40 文献下载
摘要：本公开涉及多频带射频前端电路。本发明提供了一种多频带射频(RF)前端电路。所述多频带RF前端电路包括多个RF电路，所述多个RF电路被配置成放大经由天线电路在多个RF频带和/或极化中接收和/或发射的RF信号。天线电路包括多个天线抽头点，所述多个天线抽头点各自耦合到所述RF电路中的相应一者。由于RF电路中的每一者具有能够基于所述RF频带而变化的相应阻抗，因此天线抽头点如此定位在天线电路上以各自呈现与耦合的RF电路的相应阻抗相匹配的相应驱动阻抗。此外，天线抽头点也定位在天线电路上以在RF频带和/或极化之间产生期望的RF隔离。因此，多频带RF前端电路能够在宽范围的RF频带上实现最佳RF性能，同时减小占据面积和插入损耗。
频带射频前端电路

[发明专利]具有硅裸片作为用于高功率低热导率裸片的散热器的3D封装-CN202180081686.X在审
发明人： G·马克西姆;J·C·科斯塔;D·R·W·莱波尔德;B·斯科特 -专利权人： QORVO美国公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L25/03 文献下载
摘要：本公开涉及一种三维(3D)封装，其具有叠片配置，且包含第一裸片和安置在所述第一裸片下面的至少一个第二裸片。所述第一裸片包含后段工艺(BEOL)部分、所述BEOL部分上方的装置区、所述装置区上方的衬底，以及延伸穿过所述装置区且至少延伸到所述衬底中的衬底连结结构。所述衬底和所述衬底连结结构各自具有高于50W/mK的高热导率。所述至少一个第二裸片被配置成联接到所述第一裸片的所述BEOL部分，使得由所述第二裸片生成的热量可传播穿过所述BEOL部分和所述衬底连结结构，并辐射离开第一衬底。
具有硅裸片作为用于功率低热导率裸片散热器封装

[发明专利]用于声滤波器和功率放大器级的保护电路-CN202310044804.0在审
发明人： B·斯科特;G·马克西姆;S·J·弗兰克;刘晖;朴瀞慜 -专利权人： QORVO美国公司
申请日： 2023-01-30 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H03F3/24 文献下载
摘要：本公开涉及用于声滤波器和功率放大器级的保护电路。公开一种用于声滤波器和/或功率放大器的保护电路。在一个方面中，所述保护电路包含双向耦合器，所述双向耦合器帮助确保天线处的功率测量。通过检测器将功率测量值与阈值进行比较，并且如果所述功率测量值高于所述阈值，那么发送引起去偏置化功率放大器级的信号，所述信号降低正由所述功率放大器级放大的信号的功率电平，并且对应地降低通过与所述功率放大器级相关联的滤波器的所述功率电平。通过降低通过所述功率放大器级和所述滤波器的所述功率电平，两个元件都受到保护以免受超功率条件的影响，从而允许维持功能性。
用于滤波器功率放大器保护电路

[发明专利]具有低输出阻抗的驱动放大器级-CN202310044801.7在审
发明人： B·斯科特;G·马克西姆;M·格兰杰－琼斯 -专利权人： QORVO美国公司
申请日： 2023-01-30 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H03F3/217 文献下载
摘要：公开一种具有低输出阻抗的驱动放大器。在一个方面，在发射链中的驱动放大器级与输出放大器级之间不需要级间阻抗匹配网络的驱动放大器级可以通过在驱动放大器级内提供堆叠跨导装置，并且重复使用供应电流以提供具有高电流但适中的电压摆幅的中间信号以驱动输出放大器级来实现。在特定设想的方面，堆叠式跨导装置可以是互补金属氧化物半导体(CMOS)场效应晶体管(FET)。
具有输出阻抗驱动放大器

[发明专利]具有反馈镇流电阻的功率放大器-CN202310044802.1在审
发明人： B·斯科特;胡壮立;G·马克西姆 -专利权人： QORVO美国公司
申请日： 2023-01-30 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：公开了一种具有反馈镇流电阻的功率放大器。在一个方面，功率放大器单元可从偏置电路接收偏置信号，其中所述偏置电路包含具有阻抗的反馈环路，所述阻抗从所述偏置信号的角度来看是相对低的阻抗，但从镇流热控制角度看会提供足够的电阻以避免热崩溃。在示例性方面，此反馈环路可延伸以与多个功率放大器单元一起操作，并且提供针对个别单元偏置信号控制优化的差模热控制和针对所述功率放大器的集体功率放大器单元的热控制优化的共模热控制。
具有反馈流电功率放大器

[发明专利]使用多路径共模反馈环路的功率放大器-CN202310080822.4在审
发明人： B·斯科特;G·马克西姆;S·J·弗兰克 -专利权人： QORVO美国公司
申请日： 2023-01-30 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H03F3/21 文献下载
摘要：公开了一种使用多路径共模反馈环路进行射频线性化的功率放大器。在一个方面，包含级联n型场效应晶体管(NFET)和级联p型FET(PFET)的互补金属氧化物半导体(CMOS)功率放大器可以具有共模反馈网络，并且提供随信号功率动态变化的偏置电压，以保持输出共模固定在半电源电平附近，同时FET的小信号和大信号跨导保持平衡。另一反馈网络可以与电源电压相关联以帮助提供对称电源信号。所述对称电源信号允许电源变化，而不会为所述功率放大器级引入失真。
使用路径反馈环路功率放大器

[发明专利]功率放大器系统-CN202310042802.8在审
发明人： B·斯科特;G·马克西姆;N·卡拉特;胡壮立;朴瀞慜 -专利权人： QORVO美国公司
申请日： 2023-01-28 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：公开了一种功率放大器系统，其具有第一放大器，所述第一放大器具有高功率输入和高功率输出。第二放大器具有低功率输入和低功率输出。可重新配置模式开关网络具有联接在所述高功率输出与RF输出之间的第一串联开关支路、联接在所述RF输出与固定电压节点之间的第一分流支路，以及联接在所述低功率输出与所述第一分流支路的共享节点之间的第二串联开关支路。所述共享节点将第一分流支路分成在所述RF输出与所述共享节点之间的第一共享区段以及在所述共享节点和所述固定电压节点之间的第二共享区段。
功率放大器系统

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