[发明专利]低压变阻器、电路基板、半导体部件封装以及内插件在审
| 申请号： | 202180010589.1 | 申请日： | 2021-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN115210827A | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 镰田义隆;佐藤敏行 | 申请（专利权）人： | 纳美仕有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/10 | 分类号： | H01C7/10;H01L23/00;H01C7/12;H05K1/16 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 柯瑞京 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低压 变阻器 路基 半导体 部件 封装 以及 插件 | ||
【权利要求书】：
1.一种低压变阻器，包含低压变阻器形成用树脂组成物的固化体，
所述低压变阻器的特征在于，
低压变阻器形成用树脂组成物包含：
(A)从碳纳米管以及碳气凝胶选择的至少一者；和
(B)从环氧树脂以及丙烯酸树脂选择的至少一者。
2.根据权利要求1所述的低压变阻器，其特征在于，
低压变阻器的流入电流为0.1mA时的变阻器电压为0.3～10V。
3.根据权利要求1或2所述的低压变阻器，其特征在于，
在将低压变阻器的电流-电压特性以I＝KVα表征时，非线性系数α为7～20，
其中，V是施加电压，I是流入电流，K是常数，以及α是非线性系数。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的低压变阻器，其中，
静电容为0.5～200pF。
5.一种电路基板，其特征在于，搭载了权利要求1～4中任一项所述的低压变阻器。
6.一种半导体部件封装，其特征在于，搭载了权利要求1～4中任一项所述的低压变阻器。
7.一种内插件，其特征在于，搭载了权利要求1～4中任一项所述的低压变阻器。
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