[实用新型]一种功率封装结构及其引线框架

说明书

公开了一种功率封装结构及其引线框架，所述引线框架包括：基岛，基岛的第一表面用于承载芯片；第一引脚，位于所述基岛的一侧，与基岛分离；第二引脚，与所述第一引脚位于所述基岛的同一侧，与所述基岛分离；以及第三引脚，位于所述基岛的另一侧，与所述基岛连接；其中，所述第一引脚、所述第二引脚、所述第三引脚靠近所述基岛的一端为第一端，所述第一引脚、所述第二引脚、所述第三引脚远离所述基岛的一端为第二端，所述第一端与所述第二端相对，所述第一引脚的第一端和所述第一引脚的第二端具有高度差，所述第二引脚的第一端和所述第二引脚的第二端具有高度差；所述第一引脚、第二引脚以及第三引脚中的任意一个或者多个引脚的第二端具有凹槽。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，特别涉及一种功率封装结构及其引线框架。

背景技术

随着应用领域的不断扩展，功率器件类产品已经深入到消费类电子产品、5G工业级产品以及汽车级产品等领域，相应地，上述领域对于功率器件产品性能的要求也不断提升，要求功率器件产品具备更好的单体可靠性。功率器件产品更好的单体可靠性具体表现为更好的抗腐蚀性能，更强的抗潮湿性能，更好的分层表现，以及更强的焊点可靠性；汽车级产品更是要求功率器件类产品的封装结构具备可润湿性能，可润湿性能不仅能提高焊点可靠性，也有助于安装到PCB的过程后焊点具备自动光学检测能力，便于安装过程的检测监控。

功率器件类产品的封装结构通常包括：方形扁平无引脚封装(QFN)、双边扁平无引脚封装(DFN)、冲压工艺双边扁平无引脚封装(PDFN)等。其中，QFN、DFN封装结构通常采用蚀刻工艺形成引线框架，用蚀刻工艺形成的引线框架可以在面积较小的引脚上进行加工，以形成凹槽，使得所述引线框架具备可润湿性能，但是无法形成弯折结构；PDFN封装结构通常采用冲压引线框架，用冲压工艺形成的引线框架可以形成弯折结构，但因为引脚的面积较小，采用冲压工艺对引脚进行加工形成凹槽时，会引起引脚的变形。

实用新型内容

鉴于上述问题，本实用新型的目的在于提供一种功率封装结构及其引线框架，使得形成的功率封装结构具有良好的可靠性以及可润湿性能。

本实用新型第一方面提供一种引线框架，包括：

基岛，所述基岛的第一表面用于承载芯片；

第一引脚，位于所述基岛的一侧，与所述基岛分离；

第二引脚，与所述第一引脚位于所述基岛的同一侧，与所述基岛分离；以及

第三引脚，位于所述基岛的另一侧，与所述基岛连接；

其中，所述第一引脚、所述第二引脚、所述第三引脚靠近所述基岛的一端为第一端，所述第一引脚、所述第二引脚、所述第三引脚远离所述基岛的一端为第二端，所述第一端与所述第二端相对，所述第一引脚的第一端和所述第一引脚的第二端具有高度差，所述第二引脚的第一端和所述第二引脚的第二端具有高度差；

所述第一引脚、第二引脚以及第三引脚中的任意一个或者多个引脚的第二端具有凹槽。

优选地，所述第一引脚的第二端、所述第二引脚的第二端与所述基岛的高度相同。

优选地，所述第一引脚的第一端高于所述第一引脚的第二端。

优选地，所述第二引脚的第一端高于所述第二引脚的第二端。

优选地，所述第一引脚的第一端与所述第二引脚的第一端的高度相同。

优选地，所述第一引脚的第一端的第一表面与所述基岛的第一表面之间的高度差为0.15毫米～0.3毫米。

优选地，所述第一引脚的第一端与所述第一引脚的第二端的高度差为0.15毫米～0.3毫米，所述第二引脚的第一端与所述第二引脚的第二端的高度差为0.15毫米～0.3毫米。