[实用新型]一种新型IGBT散热结构有效
申请号: | 202123172143.5 | 申请日: | 2021-12-16 |
公开(公告)号: | CN216698344U | 公开(公告)日: | 2022-06-07 |
发明(设计)人: | 叶楚安;郭吉彦;邱正峰;薛永刚;石晓明 | 申请(专利权)人: | 深圳市安和威电力科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/467 | 分类号: | H01L23/467;H01L23/473;H01L23/32 |
代理公司: | 北京智行阳光知识产权代理事务所(普通合伙) 11738 | 代理人: | 王亮军 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 igbt 散热 结构 | ||
本实用新型公开了一种新型IGBT散热结构,包括IGBT和保护壳,所述保护壳外壁开设有散热孔,所述散热孔对称安装,所述IGBT一侧固定安装有安装板,所述安装板顶部安装有第一水冷箱,所述第一水冷箱伸入安装板内部,所述第一水冷箱顶部固定安装有调节开关,所述第一水冷箱一侧安装有U型管,所述U型管一侧伸入第一水冷箱内部,所述U型管另一侧安装有第二水冷箱,该简易便捷的IGBT散热结构,在IGBT装置发热时进行降温,同时保护壳内的扇叶进行运转,将保护壳内的热气通过散热孔传输出去,在需要检查维修IGBT装置时,只需要通过转动螺栓外壁的螺母即可打开保护壳,节约了维修时间的同时节省了维修成本。
技术领域
本实用新型涉及IGBT散热技术领域,具体为一种新型IGBT散热结构。
背景技术
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效因管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点,GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小,IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低,非常适合因用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域,IGBT模块散热器是一种用MOS来控制晶体管的新型电力电子器件,具有电压高、电流大、频率高、导通电阻小等特点,因而广泛因用在变频器的逆变电路中。
现有产品在使用的过程中依旧存在以下的问题:
1、传统IGBT放置于密闭腔体内,靠腔体外壳与外界自然散热,散热效率低,大功率、控制策略负责的器件上或受制于外形体积的要求无法安装多个IGBT,或因散热不足而影响器件寿命,恶劣情况下造成IGBT损坏;且传统的流道冷却IGBT散热方式,IGBT平置与散热流道的背面,会占用太多PCB板的布置空间,会增加产品体积,影响产品小型化设计;
2、传统IGBT外壳固定安装在IGBT外壁,检查维修时不方便打开,浪费不必要的时间,需要维修时只能破坏保护壳或者整体进行更换,浪费原材料,大大提高了维修成本。
实用新型内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足,本实用新型提供了一种新型IGBT散热结构,解决了现有IGBT靠腔体外壳与外界自然散热,散热效率低,大功率,因散热不足而影响器件寿命,恶劣情况下造成IGBT损坏,以及GBT外壳固定安装在IGBT外壁,检查维修时不方便打开,浪费不必要的时间,需要维修时只能破坏保护壳或者整体进行更换,浪费原材料和维修成本的问题。
(二)技术方案
为实现以上目的,本实用新型通过以下技术方案予以实现:本实用新型提供了一种新型IGBT散热结构,包括IGBT和保护壳,所述保护壳外壁开设有散热孔,所述散热孔对称安装,所述IGBT一侧固定安装有安装板,所述安装板顶部安装有第一水冷箱,所述第一水冷箱伸入安装板内部,所述第一水冷箱顶部固定安装有调节开关,所述第一水冷箱一侧安装有U型管,所述U型管一侧伸入第一水冷箱内部,所述U型管另一侧安装有第二水冷箱。
优选的,所述第二水冷箱贴合安装IGBT外壁,所述U型管贯穿第二水冷箱底部且延伸至第二水冷箱内部,所述安装板一侧固定安装有保护管,所述保护管内部螺纹连接有导管。
优选的,所述导管贯穿保护管且延伸至安装板内部和第一水冷箱相连接,所述导管另一侧螺纹连接有连接管,所述连接管另一侧伸入IGBT内部。
优选的,所述保护壳内部设有IGBT,所述保护壳外壁开设有开合槽,所述开合槽贯穿保护壳且延伸至保护壳另一侧,所述开合槽两侧固定安装有第二固定块和第三固定块。
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