[实用新型]一种错位封装结构有效

专利信息
申请号: 202123026611.8 申请日: 2021-12-02
公开(公告)号: CN216719926U 公开(公告)日: 2022-06-10
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 深圳市泛宜微电子技术有限公司
主分类号: H01L23/12 分类号: H01L23/12
代理公司: 深圳市合道英联专利事务所(普通合伙) 44309 代理人: 廉红果
地址: 518000 广东省深圳市南山区粤海街道高*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 错位 封装 结构
【说明书】:

实用新型公开了一种错位封装结构,包括半导体元件、第一压片、第二压片;芯片包括第一表面以及第二表面,第一表面与第二表面相对设置;第一压片和第二压片四周上设置有多个连接筋,第一压片与第一表面连接,第二压片与第二表面连接,连接后第一压片上的任一连接筋都不在第二压片任一连接筋的正上方。通过调整用于封装元件的第一压片和第二压片上连接筋的位置,使封装后压片外露部分的连接位置错开,在各压片上连接筋数量不变的情况下,增大了第一压片和第二压片上连接筋之间的直线距离,降低了短路风险。

技术领域

本实用新型涉及电子技术领域,具体涉及一种错位封装结构。

背景技术

电子产品自始至终都是朝着更小的尺寸、更轻的质量、更快的速度、更高的频率、更低的成本、更高的可靠性方向演进。

然后,当芯片的规格变小后,在封装过程中因为封装件的规格也相应变小,所以在焊接等步骤时非常容易导致S极与D极短路。

实用新型内容

为了解决上述问题,本实用新型提供一种错位封装结构,适用于多种不同型号的芯片,可以减小出现短路的概率。

本实用新型所采用的技术方案是:

一种错位封装结构,包括半导体元件、第一压片、第二压片;

所述半导体元件包括第一表面以及第二表面,所述第一表面与第二表面相对设置;所述第一压片和所述第二压片四周上设置有多个连接筋,所述第一压片与所述第一表面连接,所述第二压片与所述第二表面连接,连接后所述第一压片上的任一连接筋都不在所述第二压片任一连接筋的正上方。

优选地,所述连接筋均匀设于所述第一压片和所述第二压片四周。

优选地,封装后的所述第一压片上的连接筋位于所述第二压片两个连接筋的正上方。

优选地,封装后的所述第一压片和所述第二压片之间的垂直距离小于0.15mm。

优选地,所述第一压片上的连接筋的厚度与所述第一压片的厚度相同。

优选地,所述第二压片上的连接筋的厚度与所述第二压片的厚度相同。

优选地,所述第一压片上的连接筋和所述第二压片上的连接筋大小一致。

优选地,所述第一压片上的连接筋和所述第二压片上的连接筋的宽度为0.2-0.4mm。

优选地,所述第一压片的面积大于所述第一表面的面积。

优选地,所述第二压片的面积大于所述第二表面的面积。

与现有技术相比,本实用新型的错位封装结构,通过调整用于封装元件的第一压片和第二压片上连接筋的位置,使封装后压片外露部分的连接位置错开,在各压片上连接筋数量不变的情况下,增大了第一压片和第二压片上连接筋之间的直线距离,降低了短路风险。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施方式中的技术方案,下面将对本申请实施方式中所需要使用的附图进行说明。

图1是本实用新型实施例提供的一种错位封装结构封装后的结构示意图;

图2是本实用新型实施例提供的一种错位封装结构的爆炸示意图;

图3是本实用新型实施例提供的一种错位封装结构封装后的前视图;

图4是本实用新型实施例提供的一种散热结构的俯视示意图;

图5是本实用新型实施例提供的一种散热结构的结构示意图;

图6是本实用新型实施例提供的一种散热结构的前视示意图。

具体实施方式

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