[实用新型]一种金属凸块结构

说明书

本实用新型公开了一种金属凸块结构，包括：包括：裸芯片，具有基板和设置在所述基板上表面的焊盘、钝化层，所述焊盘自所述钝化层上的钝化层开口向外暴露；绝缘垫高块，设置在所述焊盘的边缘位置；金属凸块，设置在所述裸芯片上，所述金属凸块的底端形成有设置在所述焊盘之上的中间部和设置在所述绝缘垫高块之上的绝缘垫高部；所述金属凸块的顶端形成有与所述中间部位置相对的凹陷部和与所述绝缘垫高部位置相对的突起部。本实用新型实施例公开的金属凸块结构通过绝缘垫高块的设置使金属凸块的上部形成突起部和凹陷部，在金属凸块与基板电路上的引脚结合的时候，有效避免引脚熔融、外溢造成的相邻焊点之间短接的问题。

技术领域

本实用新型涉及芯片封装技术领域，特别是一种金属凸块结构。

背景技术

覆晶技术(Flip Chip)，也称“倒晶封装”或“倒晶封装法”，是芯片封装技术的一种。此封装技术有别于过去芯片置放于基板上，再用打线技术将芯片与基板上的连结点连接的方式。而是在芯片连接点上长焊点，然后将芯片翻转过来使焊点与基板直接连结。目前覆晶技术已经被普遍应用在微处理器封装，而且也成为绘图、特种应用、和电脑芯片组等的主流封装技术。特别地，覆晶技术的代表性实施例为玻璃覆晶封装(Chip On Glass，COG)和薄膜覆晶封装(Chip On Film，COF)。

在上述封装工艺中，薄膜覆晶封装是一种将集成电路(IC)固定在柔性线路板上的晶粒软膜构装技术，运用软质附加电路板作为封装芯片载体将芯片与软性基板电路结合。在此结合工艺过程中，需将芯片中每一个焊点与基板电路上相应的引脚在高温高压条件下压合成共晶结构，此步骤过程中若引脚材质熔融外延，将导致两个焊点之间短接，进而影响芯片性能。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种金属凸块结构，以解决现有技术中的不足，它能够有效的避免引脚在熔融后因外溢造成的相邻焊点之间的短接问题。

本实用新型实施例公开的金属凸块结构，包括：裸芯片，具有基板和设置在所述基板上表面的焊盘、钝化层，所述焊盘自所述钝化层上的钝化层开口向外暴露；

绝缘垫高块，设置在所述焊盘的边缘位置；

金属凸块，设置在所述裸芯片上，所述金属凸块的底端形成有设置在所述焊盘之上的中间部和设置在所述绝缘垫高块之上的绝缘垫高部；所述金属凸块的顶端形成有与所述中间部位置相对的凹陷部和与所述绝缘垫高部位置相对的突起部。

进一步的，所述绝缘垫高块具有设置在所述钝化层之上的第一垫高部和设置在所述焊盘之上的第二垫高部，所述第二垫高部位于所述焊盘的边缘。

进一步的，所述第二垫高部在竖向上的高度与所述凹陷部在竖向方向上的深度相一致。

进一步的，所述凹陷部在竖向方向的深度不低于1μm。

进一步的，所述金属凸块电镀成型。

进一步的，所述绝缘垫高块材质为光敏性有机聚合物材料或无机薄膜材料。

进一步的，所述绝缘垫高块材质为聚酰亚胺。

进一步的，所述绝缘垫高块设置在所述钝化层之上。

进一步的，所述金属凸块与所述焊盘之间还设置有种子层，所述绝缘垫高块与所述金属凸块之间也设置有种子层。

与现有技术相比，本实用新型实施例公开的金属凸块结构通过绝缘垫高块的设置使金属凸块的上部形成突起部，并在相邻突起部的位置形成相对的凹陷部。由于凹陷部的存在，使金属凸块与基板电路上的引脚结合的时候，引脚材质能够熔融在所述凹陷部内，有效避免引脚熔融、外溢造成的相邻焊点之间短接的问题。

附图说明

图1至图9依次示出本实用新型实施例公开的金属凸块结构的成型方法的流程图；