[实用新型]一种存储芯片的封装结构有效

专利信息
申请号: 202121460317.5 申请日: 2021-06-29
公开(公告)号: CN214753703U 公开(公告)日: 2021-11-16
发明(设计)人: 黄志雄;李华峰;潘承辽 申请(专利权)人: 广西格思克实业有限责任公司
主分类号: H01L23/047 分类号: H01L23/047;H01L23/10;H01L23/552
代理公司: 泉州市兴博知识产权代理事务所(普通合伙) 35238 代理人: 王成红
地址: 530000 广西壮族自治区南宁市综合保税区东风路*** 国省代码: 广西;45
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 存储 芯片 封装 结构
【权利要求书】:

1.一种存储芯片的封装结构,其特征在于:包括存储芯片主体(1)、封密装置(2)和引电装置(3),所述存储芯片主体(1)外侧设置有封密装置(2),所述封密装置(2)前后两端对称设置有引电装置(3),所述引电装置(3)内侧与存储芯片主体(1)固定连接。

2.根据权利要求1所述的一种存储芯片的封装结构,其特征在于:所述封密装置(2)包括内壳层(21)、导电涂层(22)和外壳层(23),所述内壳层(21)外侧设置有导电涂层(22),所述导电涂层(22)外侧设置有外壳层(23),所述内壳层(21)内侧设置有存储芯片主体(1)。

3.根据权利要求1所述的一种存储芯片的封装结构,其特征在于:所述引电装置(3)包括内接条(31)、引脚部(32)和加固条(33),所述内接条(31)外侧与引脚部(32)一体成型,所述引脚部(32)内侧中部一体成型有加固条(33),所述内接条(31)同时贯穿内壳层(21)和外壳层(23)内外两侧,并且内接条(31)均与内壳层(21)和外壳层(23)过盈配合,所述内接条(31)内侧与存储芯片主体(1)锡焊,所述加固条(33)外表面内侧固定嵌入外壳层(23)外侧。

4.根据权利要求3所述的一种存储芯片的封装结构,其特征在于:所述内接条(31)设置有两组且其对称设置于存储芯片主体(1)前后两端。

5.根据权利要求3所述的一种存储芯片的封装结构,其特征在于:所述内接条(31)外表面与导电涂层(22)不接触。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广西格思克实业有限责任公司,未经广西格思克实业有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202121460317.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top