[实用新型]一种PNL级硅片与成品硅片

说明书

本实用新型属于芯片技术领域，提供一种PNL级硅片，包括整块硅片和连接槽。其中整块硅片分割自成品硅片，该整块硅片包括多块单硅片。另外，连接槽位于相邻的单硅片之间，该连接槽具备预设深度，其中的预设深度设置为能将多块单硅片连接为一个整体。在以上技术特征中，通过从成品硅片中分出可以用于封装的多块单硅片，该多块单硅片通过预设深度的连接槽连接为一个整体，打包到后续工艺中进行封装测试，从而可有效避免后续工艺中大量多次将单个硅片分开转移到基板进行焊线连接，提升整个封装测试的效率，降低封装测试的难度，实现巨量转移的技术效果，满足半导体封装技术高密度化和高性能化的要求。

技术领域

本实用新型属于芯片技术领域，尤其涉及一种PNL级硅片与一种成品硅片。

背景技术

芯片技术作为电子信息技术的底层技术，是电子信息产品不可或缺的一部分关键技术。在芯片技术中，包括封装测试技术，该技术从工艺上大体包括固晶、焊线、点胶/模压、烘烤、切割、分选测试以及焊接/安装等环节。

其中，固晶是指将硅片固定在基板上；焊线是指将硅片电极与基板连接，实现电信号导通，当然若是倒装产品则无需经过焊线环节。再经过点胶/模压、烘烤、切割以及分选测试等环节后，便可以将基板背面焊盘通过SMT与PCB板连通，完成封装测试。

虽然，现有的封装测试技术能够实现芯片的封装测试，但是其通常的做法是在固晶环节之前，将整块的硅片切割成单个的硅片，再对单个的硅片进行封装测试，这导致后续工艺中需要大量多次将单个硅片转移到基板进行焊线连接，以致于造成不能一次性转移成块硅片(即多个单个硅片连接成块的硅片)缺陷，使得整个封装测试技术的难度提升，效率降低，越来越不能满足半导体封装技术高密度化和高性能化的要求。

综上所述，现有的芯片封装测试技术存在不能一次性转移成块硅片进行封装测试的技术问题。

实用新型内容

为了解决上述技术问题，本实用新型提供一种PNL级硅片，包括：

整块硅片，分割自成品硅片；所述整块硅片包括多块单硅片；

连接槽，所述连接槽位于多块单硅片中相邻的单硅片之间，具备预设深度；所述预设深度设置为能将多块所述单硅片连接为一个整体。

替代性地，本实用新型还提供一种成品硅片，包括多块单硅片和连接槽；所述连接槽位于多块单硅片中相邻的单硅片之间，具备预设深度；所述预设深度设置为能将多块所述单硅片连接为一个整体。

改进地，所述预设深度设置为易于将连接为一个整体的多块所述单硅片划分为分开的单硅片。

具体地，所述连接槽包括第一侧面、第二侧面以及底面；所述第一侧面和所述第二侧面相对设置，所述第一侧面的底端和所述第二侧面的底端与所述底面连接。

改进地，所述第一侧面和所述第二侧面平行，所述第一侧面的底端和所述第二侧面的底端均与所述底面垂直。

改进地，所述整块硅片根据所述成品硅片的形状，在不损害完整的所述单硅片的条件下进行分割。

改进地，所述预设深度的取值范围在所述单硅片的厚度的40％至60％之间进行选取。

优选地，所述预设深度的取值为所述单硅片的厚度的50％。

具体地，所述连接槽通过在所述成品硅片上进行半蚀刻生成。

优选地，所述连接槽通过在所述成品硅片上进行激光刻蚀生成。

优选地，所述连接槽通过在所述成品硅片进行掩膜湿法刻蚀生成。

相比现有技术，本实用新型的有益效果在于：