[实用新型]一种PNL级硅片与成品硅片有效
| 申请号： | 202120794029.7 | 申请日： | 2021-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN216145607U | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 康孝恒;蔡克林;唐波;杨飞;李瑞;许凯;蒋乐元 | 申请（专利权）人： | 惠州市志金电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 李健 |
| 地址： | 516083 广东省惠*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 pnl 硅片 成品 | ||
1.一种PNL级硅片，其特征在于，包括：
整块硅片，分割自成品硅片；所述整块硅片包括多块单硅片；
连接槽，所述连接槽位于多块单硅片中相邻的单硅片之间，具备预设深度；所述预设深度设置为能将多块所述单硅片连接为一个整体。
2.如权利要求1所述的PNL级硅片，其特征在于，所述预设深度设置为易于将连接为一个整体的多块所述单硅片划分为分开的单硅片。
3.如权利要求1或2所述的PNL级硅片，其特征在于，所述连接槽包括第一侧面、第二侧面以及底面；所述第一侧面和所述第二侧面相对设置，所述第一侧面的底端和所述第二侧面的底端与所述底面连接。
4.如权利要求3所述的PNL级硅片，其特征在于，所述第一侧面和所述第二侧面平行，所述第一侧面的底端和所述第二侧面的底端均与所述底面垂直。
5.如权利要求4所述的PNL级硅片，其特征在于，所述整块硅片根据所述成品硅片的形状，在不损害完整的所述单硅片的条件下进行分割。
6.如权利要求2所述的PNL级硅片，其特征在于，所述预设深度的取值范围在所述单硅片的厚度的40％至60％之间进行选取。
7.如权利要求6所述的PNL级硅片，其特征在于，所述预设深度的取值为所述单硅片的厚度的50％。
8.如权利要求7所述的PNL级硅片，其特征在于，所述连接槽通过在所述成品硅片上进行半蚀刻生成。
9.如权利要求8所述的PNL级硅片，其特征在于，所述连接槽通过在所述成品硅片上进行激光刻蚀生成。
10.一种成品硅片，其特征在于，包括多块单硅片和连接槽；所述连接槽位于多块单硅片中相邻的单硅片之间，具备预设深度；所述预设深度设置为能将多块所述单硅片连接为一个整体。
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