[实用新型]金属氧化物半导体MOS器件有效
| 申请号： | 202120434016.9 | 申请日： | 2021-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN214411211U | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 李振道;孙明光 | 申请（专利权）人： | 江苏应能微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 王健 |
| 地址： | 213000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 mos 器件 | ||
1.一种金属氧化物半导体MOS器件，其特征在于：包括N型外延层（1）、位于N型外延层（1）中上部的轻掺杂P型阱层（2），此轻掺杂P型阱层（2）中间隔地开有第一沟槽（3）和第二沟槽（4），位于轻掺杂P型阱层（2）中的第一沟槽（3）和第二沟槽（4）从轻掺杂P型阱层（2）上表面延伸至N型外延层（1）内，所述第一沟槽（3）和第二沟槽（4）内均具有一闸极多晶硅部（5），所述第一沟槽（3）、第二沟槽（4）分别与各自的闸极多晶硅部（5）之间均通过一闸极氧化层隔离（6）；
所述轻掺杂P型阱层（2）位于第一沟槽（3）、第二沟槽（4）之间区域的上部间隔地设置有第一重掺杂N型源极区（7）、第二重掺杂N型源极区（8），此第一重掺杂N型源极区（7）、第二重掺杂N型源极区（8）分别位于第一沟槽（3）、第二沟槽（4）的周边；
所述轻掺杂P型阱层（2）位于第一重掺杂N型源极区（7）、第二重掺杂N型源极区（8）之间的区域设置有一重掺杂P型区（9），所述重掺杂P型区（9）上表面位于轻掺杂P型阱层（2）上表面，且重掺杂P型区（9）下表面延伸至所述N型外延层（1）内并位于轻掺杂P型阱层（2）的下方，所述重掺杂P型区（9）的宽度在竖直方向下逐渐变小，所述重掺杂P型区（9）与N型外延层（1）的接触面为向下凸起的弧形面；
所述第一重掺杂N型源极区（7）、第二重掺杂N型源极区（8）与轻掺杂P型阱层（2）的接触面均为弧形面，所述轻掺杂P型阱层（2）与N型外延层（1）的接触面为向下凸起的弧形面；
所述第一沟槽（3）、第二沟槽（4）上方和第一重掺杂N型源极区（7）、第二重掺杂N型源极区（8）靠近沟槽的区域上方覆盖有一介电质层（10），所述重掺杂P型区（9）上方和第一重掺杂N型源极区（7）、第二重掺杂N型源极区（8）远离沟槽的区域上方覆盖有一金属层（11）。
2.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体MOS器件，其特征在于：所述第一沟槽（3）深度与第一重掺杂N型源极区（7）深度的深度比为10：4~6。
3.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体MOS器件，其特征在于：所述第二沟槽（4）深度与第二重掺杂N型源极区（8）深度的深度比为10：4~6。
4.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体MOS器件，其特征在于：所述第一重掺杂N型源极区（7）、第二重掺杂N型源极区（8）均为高浓度砷掺杂N型源极区。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏应能微电子有限公司，未经江苏应能微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202120434016.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：低功耗沟槽式功率MOS器件
- 下一篇：一种现场充气二氧化碳相变致裂器
- 同类专利
- 专利分类
