[发明专利]一种发光二极管及其应用

说明书

本发明提出一种发光二极管及其应用，且所述发光二极管包括：衬底；半导体外延结构，设置在所述衬底上；透明导电层，设置在所述半导体外延结构上；第一填平层，设置在所述透明导电层上；第二填平层，设置在所述第一填平层电层上，且所述第一填平层的颗粒密度大于所述第二填平层的颗粒密度；第一电极，设置在所述半导体外延结构的第一半导体层上；以及第二电极，设置在所述透明导电层上。通过本发明提供的一种发光二极管，可改善发光效果。

技术领域

本发明涉及半导体领域，特别涉及一种发光二极管及其应用。

背景技术

发光二极管的在背光领域的应用中，具有省电、清晰度高、反应时间快等特点，最新的显示器机种上，频频使用这项新型态的产品。一般的外延表面由于长晶的过程之中，外延有缺陷，产生表面凹凸不平，导致后面镀上反射镜之后，不会形成完全的镜面，导致于色散，光不集中，在封装成白光后，导致光效不好。

发明内容

鉴于上述现有技术的缺陷，本发明提出一种发光二极管及其应用，旨在改发光二极管的色散，光不集中等问题，进而提高发光二极管的光效。

为实现上述目的及其他目的，本发明提出一种发光二极管，该发光二极管包括：

衬底；

半导体外延结构，设置在所述衬底上；

透明导电层，设置在所述半导体外延结构上；

第一填平层，设置在所述透明导电层上；

第二填平层，设置在所述第一填平层电层上，且所述第一填平层的颗粒密度大于所述第二填平层的颗粒密度；

第一电极，设置在所述半导体外延结构的第一半导体层上；以及

第二电极，设置在所述透明导电层上。

可选的，所述第一填平层的颗粒密度为3～4g/cm3，所述第二填平层的颗粒密度为1.5～3g/cm3。

可选的，所述第一填平层的材料为氧化铝或氟化镁，所述第二填平层的材料为二氧化硅或氮化硅。

可选的，所述第一填平层的厚度为200～500nm，所述第二填平层的厚度为50～300nm。

可选的，所述填平层上设置有多个开孔，且多个所述开孔呈阵列设置，且所述开孔穿透所述第一填平层和所述第二填平层。

可选的，所述开孔的孔径为3～5um，相邻所述开孔之间的间隔为3～5um。

可选的，所以开孔的截面为圆形、方形或多边形。

可选的，所述发光二极管还包括反射层和保护层，所述反射层设置在所述填平层上，所述保护层设置在所述保护层上。

可选的，所述发光二极管还包括压合层，所述压合层设置在所述保护层上。

可选的，所述压合层包括第一压合层和第二压合层，所述第一压合层和所述第二压合层的厚度之比为3：8。

可选的，所述第一压合层的材料为SiO2，所述第二压合层的材料为TiO2或Ti2O5。

可选的，所述发光二极管为微型发光二极管。

本发明还提供一种发光二极管显示器，包括如上所述的发光二极管

综上所述，本发明提出一种发光二极管及其应用，利用一特殊复合填平层，使外延表面填平，同时使用一压合层，确保整体的膜层应力平衡，避免因张应力造成镀膜层裂开，同时此两种设计，也将倒装所需要的光垂直反射能力强化，以增加出光效。

附图说明

图1：本实施例中半导体设备结构示意图。