[发明专利]一种发光二极管及其应用在审
| 申请号： | 202111673485.7 | 申请日： | 2021-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN114121747A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 陈卫军 | 申请（专利权）人： | 广东晶相光电科技有限公司;深圳市晶相技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677;H01L21/67;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 王积毅 |
| 地址： | 529000 广东省江门市江海区彩虹路*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 及其 应用 | ||
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：
衬底；
半导体外延结构，设置在所述衬底上；
透明导电层，设置在所述半导体外延结构上；
第一填平层，设置在所述透明导电层上；
第二填平层，设置在所述第一填平层电层上，且所述第一填平层的颗粒密度大于所述第二填平层的颗粒密度；
第一电极，设置在所述半导体外延结构的第一半导体层上；以及
第二电极，设置在所述透明导电层上。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一填平层的颗粒密度为3～4g/cm3，所述第二填平层的颗粒密度为1.5～3g/cm3。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一填平层的材料为氧化铝或氟化镁，所述第二填平层的材料为二氧化硅或氮化硅。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一填平层的厚度为200～500nm，所述第二填平层的厚度为50～300nm。
5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述填平层上设置有多个开孔，且多个所述开孔呈阵列设置，且所述开孔穿透所述第一填平层和所述第二填平层。
6.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，所述开孔的孔径为3～5um，相邻所述开孔之间的间隔为3～5um。
7.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，所以开孔的截面为圆形、方形或多边形。
8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括反射层和保护层，所述反射层设置在所述填平层上，所述保护层设置在所述保护层上。
9.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括压合层，所述压合层设置在所述保护层上。
10.根据权利要求9所述的发光二极管，其特征在于，所述压合层包括第一压合层和第二压合层，所述第一压合层和所述第二压合层的厚度之比为3：8。
11.根据权利要求10所述的发光二极管，其特征在于，所述第一压合层的材料为SiO2，所述第二压合层的材料为TiO2或Ti2O5。
12.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管为微型发光二极管。
13.一种发光二极管显示器，其特征在于，包括如权1所述的发光二极管。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
