[发明专利]系统级芯片测试前的预处理方法和预处理结构在审
申请号: | 202111671833.7 | 申请日: | 2021-12-31 |
公开(公告)号: | CN114497016A | 公开(公告)日: | 2022-05-13 |
发明(设计)人: | 张志美;王宗旗 | 申请(专利权)人: | 青岛歌尔微电子研究院有限公司 |
主分类号: | H01L25/16 | 分类号: | H01L25/16;H01L21/66;H01L23/31;H01L23/544 |
代理公司: | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人: | 王春锋 |
地址: | 266061 山东省*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 系统 芯片 测试 预处理 方法 结构 | ||
1.一种系统级芯片测试前的预处理方法,其特征在于,包括:
在系统级芯片外包裹金属层;
将包裹有金属层的所述系统级芯片镶嵌到模具内;
对所述系统级芯片中基板的背面一侧进行研磨;
将所述系统级芯片从所述模具中取出,对所述系统级芯片进行电性测试。
2.根据权利要求1所述的预处理方法,其特征在于,所述金属层包括锡箔纸、铝箔和铜箔中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的预处理方法,其特征在于,将包裹有金属层的系统级芯片镶嵌到模具内包括:
将包裹有金属层的系统级芯片放入到模具的腔体内,并在模具的腔体内倒入固化胶。
4.根据权利要求1所述的预处理方法,其特征在于,所述基板中包括多个线路层,对所述系统级芯片中基板的背面一侧进行研磨包括:
对所述系统级芯片中基板的背面一侧进行研磨,以使所述基板中的线路层露出。
5.根据权利要求1所述的预处理方法,其特征在于,对所述系统级芯片中基板的背面一侧进行研磨包括:
对所述系统级芯片中基板的背面一侧进行研磨,以使得所述系统级芯片中子芯片的焊接层外露。
6.根据权利要求5所述的预处理方法,其特征在于,在将所述系统级芯片和所述金属层一同从所述模具中取出之后,还包括:
对所述系统级芯片进行镭射开封,取出所述系统级芯片中的子芯片,对所述子芯片进行电性测试。
7.根据权利要求6所述的预处理方法,其特征在于,所述电性测试包括所述子芯片的通断路测试和短路测试。
8.根据权利要求1所述的预处理方法,其特征在于,在将所述系统级芯片从所述模具中取出的过程中,还包括将所述金属层和所述系统级芯片一同从所述模具中取出。
9.根据权利要求1所述的预处理方法,其特征在于,在对所述系统级芯片中基板的背面一侧进行研磨之后,将所述系统级芯片和所述金属层一同从所述模具中取出之前,还包括:
对所述系统级芯片的研磨一侧进行抛光、清洗和拍照。
10.一种系统级芯片测试前的预处理结构,其特征在于,包括:
系统级芯片,所述系统级芯片包括基板(1)、多个子芯片(2)和封装层(3),多个所述子芯片(2)焊接于所述基板(1)的表面,所述封装层(3)覆盖于所述子芯片(2)上;
金属层(4),所述金属层(4)包裹在所述系统级芯片外周。
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