[发明专利]系统级芯片测试前的预处理方法和预处理结构在审

专利信息
申请号: 202111671833.7 申请日: 2021-12-31
公开(公告)号: CN114497016A 公开(公告)日: 2022-05-13
发明(设计)人: 张志美;王宗旗 申请(专利权)人: 青岛歌尔微电子研究院有限公司
主分类号: H01L25/16 分类号: H01L25/16;H01L21/66;H01L23/31;H01L23/544
代理公司: 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 代理人: 王春锋
地址: 266061 山东省*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 系统 芯片 测试 预处理 方法 结构
【权利要求书】:

1.一种系统级芯片测试前的预处理方法,其特征在于,包括:

在系统级芯片外包裹金属层;

将包裹有金属层的所述系统级芯片镶嵌到模具内;

对所述系统级芯片中基板的背面一侧进行研磨;

将所述系统级芯片从所述模具中取出,对所述系统级芯片进行电性测试。

2.根据权利要求1所述的预处理方法,其特征在于,所述金属层包括锡箔纸、铝箔和铜箔中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的预处理方法,其特征在于,将包裹有金属层的系统级芯片镶嵌到模具内包括:

将包裹有金属层的系统级芯片放入到模具的腔体内,并在模具的腔体内倒入固化胶。

4.根据权利要求1所述的预处理方法,其特征在于,所述基板中包括多个线路层,对所述系统级芯片中基板的背面一侧进行研磨包括:

对所述系统级芯片中基板的背面一侧进行研磨,以使所述基板中的线路层露出。

5.根据权利要求1所述的预处理方法,其特征在于,对所述系统级芯片中基板的背面一侧进行研磨包括:

对所述系统级芯片中基板的背面一侧进行研磨,以使得所述系统级芯片中子芯片的焊接层外露。

6.根据权利要求5所述的预处理方法,其特征在于,在将所述系统级芯片和所述金属层一同从所述模具中取出之后,还包括:

对所述系统级芯片进行镭射开封,取出所述系统级芯片中的子芯片,对所述子芯片进行电性测试。

7.根据权利要求6所述的预处理方法,其特征在于,所述电性测试包括所述子芯片的通断路测试和短路测试。

8.根据权利要求1所述的预处理方法,其特征在于,在将所述系统级芯片从所述模具中取出的过程中,还包括将所述金属层和所述系统级芯片一同从所述模具中取出。

9.根据权利要求1所述的预处理方法,其特征在于,在对所述系统级芯片中基板的背面一侧进行研磨之后,将所述系统级芯片和所述金属层一同从所述模具中取出之前,还包括:

对所述系统级芯片的研磨一侧进行抛光、清洗和拍照。

10.一种系统级芯片测试前的预处理结构,其特征在于,包括:

系统级芯片,所述系统级芯片包括基板(1)、多个子芯片(2)和封装层(3),多个所述子芯片(2)焊接于所述基板(1)的表面,所述封装层(3)覆盖于所述子芯片(2)上;

金属层(4),所述金属层(4)包裹在所述系统级芯片外周。

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