[发明专利]一种显示面板及其制作方法在审
申请号: | 202111643358.2 | 申请日: | 2021-12-29 |
公开(公告)号: | CN114335112A | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
发明(设计)人: | 唐甲 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 李镇江 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 及其 制作方法 | ||
本发明提供一种显示面板及其制作方法,包括薄膜晶体管层和位于薄膜晶体管层上的钝化层,该钝化层包括位于第一区域的第一钝化层和位于第二区域的第二钝化层。该显示面板还包括位于第一钝化层上的平坦层,位于平坦层上的粗糙度改善层,以及位于粗糙度改善层上的阳极。本发明通过在平坦层上形成粗糙度改善层,来改善平坦层表面的粗糙度,进而改善阳极的粗糙度,以提高电致发光器件的效率和寿命。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及其制作方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)包括薄膜晶体管(ThinFilm Transistor,TFT)器件和OLED器件,OLED器件包括钝化层、平坦层、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层和阴极。
在OLED器件的制作工艺中,可能会造成平坦层表面粗糙度劣化,而阳极沉积在平坦层上,对于电致发光器件而言,阳极作为电致发光器件的组成部分,其表面粗糙会引起光散射,导致出光亮度降低,因此平坦层的粗糙度直接影响阳极的粗糙度分布。
因此如何改善平坦层的粗糙度,是亟待解决的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种显示面板及其制作方法,旨在改善平坦层的粗糙度,提升电致发光器件的效率和寿命。
一方面,本发明提供一种显示面板,包括:
薄膜晶体管层;
钝化层,位于所述薄膜晶体管层上,所述钝化层包括位于第一区域的第一钝化层和位于第二区域的第二钝化层;
平坦层,位于所述第一钝化层上;
粗糙度改善层,位于所述平坦层上;
阳极,位于所述粗糙度改善层上。
进一步,所述粗糙度改善层为具备流动性的导电材料。
进一步,所述粗糙度改善层为纳米银膜或导电高分子膜。
进一步,所述薄膜晶体管层包括源极和漏极,所述粗糙度改善层通过导电柱与所述源极电连接,所述导电柱贯穿所述平坦层和所述钝化层。
进一步,所述第一区域具有所述平坦层,所述第二区域不具有所述平坦层。
进一步,所述阳极包括位于所述粗糙度改善层上的氧化铟锡层。
进一步,所述显示面板还包括位于所述粗糙度改善层与所述阳极之间的金属反射层。
另一方面,本发明提供一种显示面板的制作方法,包括:
形成薄膜晶体管层;
形成位于所述薄膜晶体管层上的钝化层,所述钝化层包括位于第一区域的第一钝化层和位于第二区域的第二钝化层;
形成位于所述第一钝化层上的平坦层;
形成位于所述平坦层上的粗糙度改善层;
形成位于所述粗糙度改善层上的阳极。
进一步,所述形成位于所述第一钝化层上的平坦层的步骤,包括:
在所述钝化层上沉积初始平坦层,所述初始平坦层包括位于所述第一区域的第一初始平坦层和位于所述第二区域的第二初始平坦层;
采用半色调掩模板对所述初始平坦层进行光刻工艺,以在所述第一初始平坦层中形成第一开孔和去除部分所述第二初始平坦层,使所述第一初始平坦层的高度大于所述第二初始平坦层的高度;
对所述初始平坦层进行灰化工艺,以去除所述第二初始平坦层,且保留部分所述第一初始平坦层作为所述平坦层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电半导体显示技术有限公司,未经深圳市华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111643358.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种六维力传感器
- 下一篇:电子凭证更新方法、装置及电子设备
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的