[发明专利]一种显示面板及其制作方法在审
申请号: | 202111643358.2 | 申请日: | 2021-12-29 |
公开(公告)号: | CN114335112A | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
发明(设计)人: | 唐甲 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 李镇江 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 及其 制作方法 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
薄膜晶体管层;
钝化层,位于所述薄膜晶体管层上,所述钝化层包括位于第一区域的第一钝化层和位于第二区域的第二钝化层;
平坦层,位于所述第一钝化层上;
粗糙度改善层,位于所述平坦层上;
阳极,位于所述粗糙度改善层上。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述粗糙度改善层为具备流动性的导电材料。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述粗糙度改善层为纳米银膜或导电高分子膜。
4.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述薄膜晶体管层包括源极和漏极,所述粗糙度改善层通过导电柱与所述源极电连接,所述导电柱贯穿所述平坦层和所述钝化层。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一区域具有所述平坦层,所述第二区域不具有所述平坦层。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述阳极包括位于所述粗糙度改善层上的氧化铟锡层。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括位于所述粗糙度改善层与所述阳极之间的金属反射层。
8.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括:
形成薄膜晶体管层;
形成位于所述薄膜晶体管层上的钝化层,所述钝化层包括位于第一区域的第一钝化层和位于第二区域的第二钝化层;
形成位于所述第一钝化层上的平坦层;
形成位于所述平坦层上的粗糙度改善层;
形成位于所述粗糙度改善层上的阳极。
9.根据权利要求8所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述形成位于所述第一钝化层上的平坦层的步骤,包括:
在所述钝化层上沉积初始平坦层,所述初始平坦层包括位于所述第一区域的第一初始平坦层和位于所述第二区域的第二初始平坦层;
采用半色调掩模板对所述初始平坦层进行光刻工艺,以在所述第一初始平坦层中形成第一开孔和去除部分所述第二初始平坦层,使所述第一初始平坦层的高度大于所述第二初始平坦层的高度;
对所述初始平坦层进行灰化工艺,以去除所述第二初始平坦层,且保留部分所述第一初始平坦层作为所述平坦层。
10.根据权利要求9所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述薄膜晶体管层包括源极和漏极;所述对所述初始平坦层进行灰化工艺的步骤之前,所述制作方法还包括:
采用刻蚀工艺在所述钝化层中形成对应所述第一开孔的第二开孔,所述第二开孔位于所述源极上;
所述形成位于所述平坦层上的粗糙度改善层的步骤之后,所述粗糙度改善层还填充所述第一开孔和所述第二开孔。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的