[发明专利]鳍结构的形成方法及FinFET器件的形成方法

权利要求书

1.一种鳍结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底上具有至少两个间隔排列的鳍组，每个所述鳍组内包括至少两个间隔排列的鳍片，所述鳍组间的间隙大于所述鳍组内的鳍片间的间隙；

形成隔离膜，所述隔离膜填充所述鳍组间的间隙以及所述鳍片间的间隙，并覆盖至所述鳍片的顶面；

形成图形化的掩模层，所述图形化的掩模层的开口位于所述鳍组间的间隙上方；

利用所述图形化的掩模层，打断至少部分所述鳍组间的隔离膜的分子键；

对所述隔离膜执行热处理；

去除预设深度的所述隔离膜，以暴露的所述鳍片作为鳍结构。

2.根据权利要求1所述的鳍结构的形成方法，其特征在于，所述隔离膜采用FCVD工艺形成，打断至少部分所述鳍组之间的隔离膜的分子键的方法包括：

以所述图形化的掩模层为掩模，对所述鳍组之间的隔离膜执行离子注入工艺以打断至少部分所述隔离膜的分子键，所述离子注入工艺的离子包括惰性气体离子或至少部分所述隔离膜自身具有元素的离子。

3.根据权利要求2所述的鳍结构的形成方法，其特征在于，所述隔离膜的材质包括氧化硅、氮氧化硅或碳氮化硅。

4.根据权利要求3所述的鳍结构的形成方法，其特征在于，所述离子注入工艺的离子包括惰性气体离子、硅离子、氧离子、碳离子、氮离子的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的鳍结构的形成方法，其特征在于，所述隔离膜上还形成有硬质介质层，所述硬质介质层覆盖所述隔离膜，所述图形化的掩模层形成在所述隔离膜上。

6.根据权利要求5所述的鳍结构的形成方法，其特征在于，形成所述硬质介质层后，对所述硬质介质层执行平坦化工艺，再在所述硬质介质层上形成所述图形化的掩模层，所述图形化的掩模层的开口暴露所述鳍组间的间隙上方的硬质介质层。

7.根据权利要求6所述的鳍结构的形成方法，其特征在于，所述硬质介质层的材质与所述隔离膜的材质相同。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的鳍结构的形成方法，其特征在于，所述离子注入工艺的注入剂量范围为1×10¹⁸atom/cm²～5×10²¹atom/cm²。

9.根据权利要求1至7中任一项所述的鳍结构的形成方法，其特征在于，所述热处理的工艺气体包括水汽、氢气、氧气及氮气的一种或多种。

10.一种FinFET器件的形成方法，其特征在于，包括：

采用如权利要求1至9中任一项所述的鳍结构的形成方法形成FinFET器件的鳍结构。