[发明专利]具有锥形金属涂层侧壁的半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括

半导体裸片，其具有顶侧表面、底侧表面及介于所述顶侧表面与所述底侧表面之间的侧壁表面，所述顶侧表面包括在其中包含电路的具有连接到所述电路中的节点的接合垫的半导体材料，及

金属涂层，其包含在所述底侧表面上方连续延伸到所述侧壁表面上的侧壁金属层的底侧金属层，

其中所述侧壁金属层界定相对于从由所述底侧金属层界定的底平面投影的法线成从10°到60°的角度的侧壁平面。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括封装，所述封装包含在所述半导体装置周围的模塑化合物及包含引线的引线框架，其中所述接合垫电耦合到所述引线。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述侧壁表面是锥形的以提供至少10°的所述角度，且其中所述金属涂层直接在所述底侧表面上且直接在所述侧壁表面上，且其中所述模塑化合物在所述金属涂层上。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述模塑化合物是锥形的以提供至少10°的所述角度，且其中所述金属涂层在所述模塑化合物上。

5.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述顶侧表面经倒装芯片附着到所述引线。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，其中所述引线框架进一步包括裸片垫，其中所述底侧表面在所述裸片垫上，所述半导体装置进一步包括介于所述接合垫与所述引线之间的接合线。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述半导体装置包括芯片规模封装CSP，所述CSP包含电接触所述接合垫的至少一个重布层，在所述重布层上包含焊料球。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述金属涂层包括铝、铜、金、钛、镍、银、钯及锡中的至少一者。

9.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述金属涂层具有1nm到5μm的平均厚度，且其中在邻近所述顶侧表面的端上的所述侧壁表面具有证实机械破裂的边缘。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述金属涂层在所述侧壁表面中的全部的整个区域上方，且在所述底侧表面的整个区域上方，包含相对于所述底侧表面上的所述金属涂层的平均厚度，所述侧壁表面与所述顶侧表面的界面的至少80％的厚度。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括封装，所述封装包含在所述半导体装置周围的模塑化合物，其中所述模塑化合物具有锥形的侧壁及衬底球栅阵列BGA，其中所述接合垫电耦合到所述衬底BGA上的接合特征。

12.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括电介质层，所述电介质层介于所述金属涂层与所述底侧表面之间，且介于所述金属涂层与所述侧壁表面之间。

13.一种形成半导体封装的方法，所述方法包括：

切穿包含多个半导体裸片的半导体组合件，所述多个半导体裸片每一者包含顶侧表面及底侧表面，所述顶侧表面包括在其中包含电路的具有连接到所述电路中的节点的接合垫的半导体材料，所述切割形成界定相对于所述底侧表面成从10°到60°的角度的侧壁平面的侧壁表面，及

形成金属涂层，所述金属涂层包含在所述底侧表面上方连续延伸到所述侧壁表面上方的侧壁金属层的底侧金属层，

其中所述侧壁金属层包含具有从10°到60°的所述角度的所述侧壁平面。