[发明专利]一种高密度多层倒装芯片堆叠封装结构及方法在审
| 申请号： | 202111595441.7 | 申请日： | 2021-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN114530433A | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 覃建民 | 申请（专利权）人： | 华天科技（南京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/492 | 分类号： | H01L23/492;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 安彦彦 |
| 地址： | 211805 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高密度 多层 倒装 芯片 堆叠 封装 结构 方法 | ||
1.一种高密度多层倒装芯片堆叠封装结构，其特征在于，包括第一基板(1)、多个倒装芯片(2)以及包裹在第一基板(1)和多个倒装芯片(2)外的塑封体(5)，倒装芯片(2)均通过软板(3)与第一基板(1)连接，通过软板(3)的弯曲折叠实现第一基板(1)和多个倒装芯片(2)之间的堆叠互联。
2.根据权利要求1所述的一种高密度多层倒装芯片堆叠封装结构，其特征在于，所述软板(3)采用金属材料制备。
3.根据权利要求1所述的一种高密度多层倒装芯片堆叠封装结构，其特征在于，所述软板(3)的弯曲折叠角度为0°～180°。
4.根据权利要求1所述的一种高密度多层倒装芯片堆叠封装结构，其特征在于，所述第一基板(1)采用嵌入式元器件封装基板ECP、印刷线路基板PWB、陶瓷基板ceramicsubstrate、覆铜陶瓷基板DCB substrate、覆铝陶瓷基板DAB substrate和绝缘金属基板IMS中的一种。
5.根据权利要求1所述的一种高密度多层倒装芯片堆叠封装结构，其特征在于，所述第一基板(1)和多个倒装芯片(2)之间的互联通过凸点部件实现。
6.根据权利要求1所述的一种高密度多层倒装芯片堆叠封装结构，其特征在于，所述软板(3)分别与第一基板(1)的上表面以及倒装芯片(2)的一面粘接。
7.根据权利要求1所述的一种高密度多层倒装芯片堆叠封装结构，其特征在于，所述倒装芯片为1-4片。
8.根据权利要求1所述的一种高密度多层倒装芯片堆叠封装结构，其特征在于，所述倒装芯片(2)的表面积小于第一基板(1)的表面积。
9.一种高密度多层倒装芯片堆叠封装方法，其特征在于，基于权利要求1-8任一项的封装结构，包括如下步骤，
将软板(3)的一部分与第一基板(1)粘接；
在第一基板(1)的上表面采用倒装工艺完成倒装芯片(2)的倒装；
将软板(3)未与第一基板(1)粘接的一部分弯曲翻转直至与倒装芯片(2)相对第一基板(1)的上表面的一面平行，并与倒装芯片(2)的该面粘接，该倒装芯片(2)堆叠完成；
重复上述操作，进行下一倒装芯片(2)的堆叠，直至所需堆叠层数堆叠完成；
将堆叠完成的第一基板(1)和多片倒装芯片(2)进行塑封成型，获得高密度多层倒装芯片(2)堆叠封装结构。
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