[发明专利]一种钙钛矿太阳能电池的制作方法和钙钛矿太阳能电池在审
申请号: | 202111587937.X | 申请日: | 2021-12-23 |
公开(公告)号: | CN114361346A | 公开(公告)日: | 2022-04-15 |
发明(设计)人: | 何嘉伟;戴伟;林纲正;陈刚 | 申请(专利权)人: | 浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/44 | 分类号: | H01L51/44;H01L51/48 |
代理公司: | 深圳盛德大业知识产权代理事务所(普通合伙) 44333 | 代理人: | 张红伟 |
地址: | 322000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 钙钛矿 太阳能电池 制作方法 | ||
本申请适用于太阳能电池技术领域,提供了一种钙钛矿太阳能电池的制作方法和钙钛矿太阳能电池。钙钛矿太阳能电池包括依次层叠的玻璃基底、导电层、空穴传输层、钙钛矿光吸收层、电子传输层和电极,钙钛矿太阳能电池还包括第一凹槽和设于第一凹槽的钙钛矿保护层,第一凹槽贯穿电子传输层、钙钛矿光吸收层和空穴传输层,钙钛矿保护层形成有第二凹槽,电极包括第一导电部和第二导电部,第一导电部与电子传输层层叠设置,第二导电部穿设于第二凹槽并抵触导电层,钙钛矿保护层用于间隔钙钛矿光吸收层和第二导电部。如此,通过钙钛矿保护层,避免了钙钛矿光吸收层与电极直接接触导致的钙钛矿光吸收层的分解,可以提高钙钛矿太阳能电池的稳定性。
技术领域
本申请属于太阳能电池技术领域,尤其涉及一种钙钛矿太阳能电池的制作方法和钙钛矿太阳能电池。
背景技术
相关技术中,钙钛矿太阳能电池由于其具有可调的带隙、高的光吸收系数、长的载流子寿命及扩散长度、较高的缺陷容忍度、低成本的低温液相制备方法等优异的光电特性而受到广泛的关注。然而,钙钛矿光吸收层容易分解,导致钙钛矿太阳能电池的稳定性降低。基于此,如何设计钙钛矿太阳能电池以提高电池的稳定性,成为了亟待解决的问题。
发明内容
本申请提供一种钙钛矿太阳能电池的制作方法和钙钛矿太阳能电池,旨在解决如何设计钙钛矿太阳能电池以提高电池的稳定性的问题。
第一方面,本申请提供的钙钛矿太阳能电池包括依次层叠的玻璃基底、导电层、空穴传输层、钙钛矿光吸收层、电子传输层和电极,所述钙钛矿太阳能电池还包括第一凹槽和设于所述第一凹槽的钙钛矿保护层,所述第一凹槽贯穿所述电子传输层、所述钙钛矿光吸收层和所述空穴传输层,所述钙钛矿保护层形成有第二凹槽,所述电极包括第一导电部和第二导电部,所述第一导电部与所述电子传输层层叠设置,所述第二导电部穿设于所述第二凹槽并抵触所述导电层,所述钙钛矿保护层用于间隔所述钙钛矿光吸收层和所述第二导电部。
可选地,所述钙钛矿保护层包括氧化铝层、氧化钴层和氧化锆层中的一种。
可选地,所述导电层形成有第三凹槽,所述空穴传输层包括第一传输部和第二传输部,所述第一传输部与所述导电层层叠设置,所述第二传输部穿设于所述第三凹槽并抵触所述玻璃基底。
可选地,所述钙钛矿太阳能电池形成有第四凹槽,所述第四凹槽贯穿所述第一导电部、所述电子传输层、所述钙钛矿光吸收层和所述空穴传输层。
第二方面,本申请提供的钙钛矿太阳能电池的制作方法,包括:
在玻璃基底上的导电层沉积空穴传输层;
在所述空穴传输层上沉积钙钛矿光吸收层;
在所述钙钛矿光吸收层上沉积电子传输层;
制作贯穿所述电子传输层、所述钙钛矿光吸收层和所述空穴传输层的第一凹槽;
在所述第一凹槽沉积钙钛矿保护层;
制作贯穿所述钙钛矿保护层的第二凹槽;
在所述电子传输层上及所述第二凹槽内沉积电极,以使所述电极的第一导电部与所述电子传输层层叠设置,并使所述电极的第二导电部穿设于所述第二凹槽并抵触所述导电层,并使所述钙钛矿保护层间隔所述钙钛矿光吸收层和所述第二导电部。
可选地,在所述在玻璃基底上的导电层沉积空穴传输层的步骤前,所述制作方法包括:
制作贯穿所述导电层的第三凹槽;
在玻璃基底上的导电层沉积空穴传输层,包括:
在所述导电层上及所述第三凹槽内沉积所述空穴传输层,以使所述空穴传输层的第一传输部与所述导电层层叠设置,并使所述空穴传输层的第二传输部穿设于所述第三凹槽并抵触所述玻璃基底。
可选地,所述制作方法包括:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司,未经浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111587937.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择