[发明专利]一种钙钛矿太阳能电池的制作方法和钙钛矿太阳能电池在审

专利信息
申请号: 202111587937.X 申请日: 2021-12-23
公开(公告)号: CN114361346A 公开(公告)日: 2022-04-15
发明(设计)人: 何嘉伟;戴伟;林纲正;陈刚 申请(专利权)人: 浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司
主分类号: H01L51/44 分类号: H01L51/44;H01L51/48
代理公司: 深圳盛德大业知识产权代理事务所(普通合伙) 44333 代理人: 张红伟
地址: 322000 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 钙钛矿 太阳能电池 制作方法
【权利要求书】:

1.一种钙钛矿太阳能电池,其特征在于,包括依次层叠的玻璃基底、导电层、空穴传输层、钙钛矿光吸收层、电子传输层和电极,所述钙钛矿太阳能电池还包括第一凹槽和设于所述第一凹槽的钙钛矿保护层,所述第一凹槽贯穿所述电子传输层、所述钙钛矿光吸收层和所述空穴传输层,所述钙钛矿保护层形成有第二凹槽,所述电极包括第一导电部和第二导电部,所述第一导电部与所述电子传输层层叠设置,所述第二导电部穿设于所述第二凹槽并抵触所述导电层,所述钙钛矿保护层用于间隔所述钙钛矿光吸收层和所述第二导电部。

2.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池,其特征在于,所述钙钛矿保护层包括氧化铝层、氧化钴层和氧化锆层中的一种。

3.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池,其特征在于,所述导电层形成有第三凹槽,所述空穴传输层包括第一传输部和第二传输部,所述第一传输部与所述导电层层叠设置,所述第二传输部穿设于所述第三凹槽并抵触所述玻璃基底。

4.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池,其特征在于,所述钙钛矿太阳能电池形成有第四凹槽,所述第四凹槽贯穿所述第一导电部、所述电子传输层、所述钙钛矿光吸收层和所述空穴传输层。

5.一种钙钛矿太阳能电池的制作方法,其特征在于,包括:

在玻璃基底上的导电层沉积空穴传输层;

在所述空穴传输层上沉积钙钛矿光吸收层;

在所述钙钛矿光吸收层上沉积电子传输层;

制作贯穿所述电子传输层、所述钙钛矿光吸收层和所述空穴传输层的第一凹槽;

在所述第一凹槽沉积钙钛矿保护层;

制作贯穿所述钙钛矿保护层的第二凹槽;

在所述电子传输层上及所述第二凹槽内沉积电极,以使所述电极的第一导电部与所述电子传输层层叠设置,并使所述电极的第二导电部穿设于所述第二凹槽并抵触所述导电层,并使所述钙钛矿保护层间隔所述钙钛矿光吸收层和所述第二导电部。

6.根据权利要求5所述的钙钛矿太阳能电池的制作方法,其特征在于,在所述在玻璃基底上的导电层沉积空穴传输层的步骤前,所述制作方法包括:

制作贯穿所述导电层的第三凹槽;

在玻璃基底上的导电层沉积空穴传输层,包括:

在所述导电层上及所述第三凹槽内沉积所述空穴传输层,以使所述空穴传输层的第一传输部与所述导电层层叠设置,并使所述空穴传输层的第二传输部穿设于所述第三凹槽并抵触所述玻璃基底。

7.根据权利要求5所述的钙钛矿太阳能电池的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:

制作贯穿所述第一导电部、所述电子传输层、所述钙钛矿光吸收层和所述空穴传输层的第四凹槽。

8.根据权利要求5所述的钙钛矿太阳能电池的制作方法,其特征在于,在所述第一凹槽沉积钙钛矿保护层,包括:

在所述电子传输层上覆盖掩膜版,所述第一凹槽自所述掩膜版露出;

在自所述掩膜版露出的所述第一凹槽内沉积所述钙钛矿保护层。

9.根据权利要求5所述的钙钛矿太阳能电池的制作方法,其特征在于,在所述第一凹槽沉积钙钛矿保护层,包括:

将所述掩膜版从所述电子传输层移除;

利用激光处理所述钙钛矿保护层,以使所述钙钛矿保护层的表面平整。

10.一种钙钛矿太阳能电池,其特征在于,采用权利要求5-9任一项所述的方法制作得到。

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