[发明专利]阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法

说明书

本申请实施例公开了一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法。阵列基板包括衬底基板和薄膜晶体管层，薄膜晶体管层设置在衬底基板上；薄膜晶体管层包括第一薄膜晶体管，第一薄膜晶体管包括层叠设置在衬底基板上的第一有源层、第一栅极绝缘层和第一源漏极层，第一栅极绝缘层位于第一有源层和第一源漏极层之间，第一源漏极层包括与第一有源层电连接的第一源极和第一漏极；第一薄膜晶体管还包括第一栅极，第一栅极位于第一栅极绝缘层上，第一栅极与第一源漏极层同层设置。通过将第一栅极与第一源漏极层同层设置，使得第一栅极、第一源极和第一漏极能够采用同一道光罩制成，简化阵列基板的制程工序，提高阵列基板的生产效率，降低生产成本。

技术领域

本申请涉及显示领域，具体涉及一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法。

背景技术

随着显示技术的发展，具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点的显示面板逐渐成为显示装置中的主流。薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)是显示面板中的主要驱动元件，直接关系到高性能显示面板的发展方向。

依据有源层材料的不同，薄膜晶体管分为非晶硅(a-Si)TFT、低温多晶硅(LowTemperature Poly-silicon，LTPS)TFT及金属氧化物(Metal Oxide)TFT。其中，不同类型的薄膜晶体管具有其独特的优势，通过将多种类型的薄膜晶体管形成混合TFT结构能够有效改善显示面板的显示效果。但在现有技术中，具有该混合薄膜晶体管结构的阵列基板的制程较复杂，使得阵列基板的生产效率较低且生产成本过高。

发明内容

本申请实施例提供一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法，可以解决现有阵列基板制程较复杂导致生产效率较低的问题。

本申请实施例提供一种阵列基板，包括：

衬底基板；

薄膜晶体管层，设置在所述衬底基板上；所述薄膜晶体管层包括第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括层叠设置在所述衬底基板上的第一有源层、第一栅极绝缘层和第一源漏极层，所述第一栅极绝缘层位于所述第一有源层和所述第一源漏极层之间，所述第一源漏极层包括与所述第一有源层电连接的第一源极和第一漏极；所述第一薄膜晶体管还包括第一栅极，所述第一栅极位于所述第一栅极绝缘层上，所述第一栅极与所述第一源漏极层同层设置。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一栅极与所述第一源极和所述第一漏极之间具有间隙，所述第一栅极绝缘层上对应所述间隙的位置开设有第一开孔。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述阵列基板包括平坦层，所述平坦层设置在所述第一源漏极层和所述第一栅极上，所述平坦层填充所述间隙和所述第一开孔。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一薄膜晶体管还包括第二栅极和层间介质层，所述第二栅极位于所述第一有源层靠近所述衬底基板的一侧，所述层间介质层位于所述第一有源层和所述第二栅极之间。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述阵列基板包括第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管与所述第一薄膜晶体管并列设置在所述衬底基板上；所述第二薄膜晶体管包括层叠设置在所述衬底基板上的第二有源层、所述第一栅极绝缘层和第二源漏极层，所述第一栅极绝缘层位于所述第二有源层和所述第二源漏极层之间，所述第二源漏极层包括与所述第二有源层电连接的第二源极和第二漏极；所述第二源漏极层与所述第一源漏极层和所述第一栅极同层设置。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一栅极绝缘层上对应所述第一源极的位置开设有第二开孔，所述第二开孔漏出所述第二有源层，所述第一源极通过所述第二开孔与所述第二有源层电连接。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二薄膜晶体管包括第三栅极和第二栅极绝缘层，所述第三栅极与所述第二有源层对应设置，所述第二栅极绝缘层位于所述第三栅极和所述第二有源层之间；