[发明专利]阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：

衬底基板；

薄膜晶体管层，设置在所述衬底基板上；所述薄膜晶体管层包括第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括层叠设置在所述衬底基板上的第一有源层、第一栅极绝缘层和第一源漏极层，所述第一栅极绝缘层位于所述第一有源层和所述第一源漏极层之间，所述第一源漏极层包括与所述第一有源层电连接的第一源极和第一漏极；所述第一薄膜晶体管还包括第一栅极，所述第一栅极位于所述第一栅极绝缘层上，所述第一栅极与所述第一源漏极层同层设置。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一栅极与所述第一源极和所述第一漏极之间具有间隙，所述第一栅极绝缘层上对应所述间隙的位置开设有第一开孔。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括平坦层，所述平坦层设置在所述第一源漏极层和所述第一栅极上，所述平坦层填充所述间隙和所述第一开孔。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管还包括第二栅极和层间介质层，所述第二栅极位于所述第一有源层靠近所述衬底基板的一侧，所述层间介质层位于所述第一有源层和所述第二栅极之间。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管与所述第一薄膜晶体管并列设置在所述衬底基板上；所述第二薄膜晶体管包括层叠设置在所述衬底基板上的第二有源层、所述第一栅极绝缘层和第二源漏极层，所述第一栅极绝缘层位于所述第二有源层和所述第二源漏极层之间，所述第二源漏极层包括与所述第二有源层电连接的第二源极和第二漏极；所述第二源漏极层与所述第一源漏极层和所述第一栅极同层设置。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一栅极绝缘层上对应所述第一源极的位置开设有第二开孔，所述第二开孔漏出所述第二有源层，所述第一源极通过所述第二开孔与所述第二有源层电连接。

7.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第二薄膜晶体管包括第三栅极和第二栅极绝缘层，所述第三栅极与所述第二有源层对应设置，所述第二栅极绝缘层位于所述第三栅极和所述第二有源层之间；

所述第三栅极位于所述第二有源层背离所述衬底基板的一侧；或，

所述第三栅极位于所述第二有源层靠近所述衬底基板的一侧。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第三栅极与所述第二栅极同层设置；或，

所述第三栅极与所述第一源漏极层同层设置。

9.根据权利要求5至8任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第一有源层的材质包括氧化铟镓锌、氧化铟锡或氧化铟锌中的一种或多种；所述第二有源层的材质包括低温多晶硅。

10.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括权利要求1至9任一项所述的阵列基板。

11.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上依次形成第一有源层和第一栅极绝缘层；

在所述第一栅极绝缘层上形成第一栅极、第一源极和第一漏极，使所述第一源极和所述第一漏极与所述第一有源层电连接；所述第一有源层、所述第一栅极绝缘层、所述第一栅极、所述第一源极和所述第一漏极形成第一薄膜晶体管。