[发明专利]半导体工艺设备及其晶圆传输装置

权利要求书

1.一种晶圆传输装置，其特征在于，包括晶圆吸盘(100)和传输臂(200)，所述晶圆吸盘(100)与所述传输臂(200)连接，其中：

所述晶圆吸盘(100)开设有多个负压槽(110)和多个气道(120)，多个所述负压槽(110)的尺寸不同，多个所述气道(120)用于与多个所述负压槽(110)一一对应连通，所述传输臂(200)开设有负压通道(210)，所述负压通道(210)用于与多个所述气道(120)连通，用于使对应的所述负压槽(110)内形成负压；

多个所述负压槽(110)的槽口边缘分别形成相应的负压吸附接触部(130)，多个所述负压吸附接触部(130)分别用于与不同尺寸的晶圆抵接，所述晶圆在所述负压槽(110)的负压作用下吸附于所述负压吸附接触部(130)。

2.根据权利要求1所述的晶圆传输装置，其特征在于，多个所述负压槽(110)依次由内向外环绕设置，每个所述负压槽(110)在背离所述负压槽(110)的中心的槽口边缘形成相应的所述负压吸附接触部(130)。

3.根据权利要求2所述的晶圆传输装置，其特征在于，每个所述气道(120)均包括第一子气道(121)、第二子气道(122)和第三子气道(123)，所述第二子气道(122)沿着朝向所述负压槽(110)的中心方向延伸设置，所述负压槽(110)与所述第二子气道(122)的第一端通过所述第一子气道(121)连通，所述负压通道(210)与所述第二子气道(122)的第二端通过所述第三子气道(123)连通，所述第二子气道(122)的第二端朝向所述负压槽(110)的中心方向。

4.根据权利要求2所述的晶圆传输装置，其特征在于，所述晶圆传输装置还包括固定连接件(300)，所述固定连接件(300)的第一端包括防脱部(310)，位于多个所述负压槽(110)中心处的负压槽(110)开设有贯穿设置的安装孔，所述固定连接件(300)的第二端连接于所述安装孔，且与所述传输臂(200)相连，以使所述晶圆吸盘(100)与所述传输臂(200)连接，所述防脱部(310)与所述负压槽(110)的底壁具有间距。

5.根据权利要求4所述的晶圆传输装置，其特征在于，所述固定连接件(300)的第二端与所述安装孔的连接处设有第一密封圈。

6.根据权利要求1所述的晶圆传输装置，其特征在于，所述负压通道(210)包括多个负压子通道(211)，多个所述负压子通道(211)用于与多个所述气道(120)一一对应连通。

7.根据权利要求1所述的晶圆传输装置，其特征在于，所述晶圆吸盘(100)包括多个第二密封圈，多个所述负压吸附接触部(130)均设有密封凹槽，所述第二密封圈设于所述密封凹槽；

在所述负压吸附接触部(130)与所述晶圆抵接时，所述第二密封圈密封于所述负压吸附接触部(130)与所述晶圆之间。

8.根据权利要求1所述的晶圆传输装置，其特征在于，每个所述负压槽(110)的底壁均设有多个环绕所述负压槽(110)中心的吸气口，多个所述吸气口均与所述气道(120)连通。

9.根据权利要求1所述的晶圆传输装置，其特征在于，所述负压通道(210)的与多个所述气道(120)的连通处设有第三密封圈；

或，多个所述气道(120)与所述负压通道(210)的连接处设有所述第三密封圈。

10.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括基座(400)和权利要求1至9任意一项所述的晶圆传输装置，所述基座(400)开设有多个晶圆槽(410)，多个所述晶圆槽(410)用于承载不同尺寸的所述晶圆。