[发明专利]用于制造基于半导体的集成电路的方法及系统

说明书

本发明实施例涉及一种用于制造集成电路IC的方法及系统。该方法包含：在示意图中识别第一边缘元件及第二边缘元件，所述边缘元件包含其布局图案经配置以符合第一布局栅格的装置；识别所述第一边缘元件与所述第二边缘元件之间的所有元件，所述经识别元件中的至少一者包含其布局图案经配置以符合比所述第一布局栅格精细的第二布局栅格的装置；及计算所述第一边缘元件与所述第二边缘元件之间的所述经识别元件的组合布局图案的空间量以确定所述组合布局图案是否符合所述第一布局栅格。

技术领域

本发明实施例涉及用于制造基于半导体的集成电路的方法。

背景技术

集成电路(“IC”)包含由半导体及其它适当材料制成的一或多个装置。表示半导体装置的方式是使用平面图，其称为布局图。布局图呈阶层式且分解成实施IC设计规格所需的高级功能的模块。

随着更高级IC的需求不断增加，制造产量可能暂时无法满足需求。此外，制造成本面临不断下行压力。

发明内容

本发明的实施例涉及一种用于制造基于半导体的集成电路的方法，所述方法包括：在示意图中识别第一边缘元件及第二边缘元件，所述第一边缘元件及所述第二边缘元件包含其布局图案经配置以符合第一布局栅格的装置；识别所述第一边缘元件与所述第二边缘元件之间的所有元件，所述经识别元件中的至少一者包括其布局图案经配置以符合比所述第一布局栅格精细的第二布局栅格的装置；计算所述第一边缘元件与所述第二边缘元件之间的所述经识别元件的组合布局图案的空间量；基于所述经计算空间量来确定所述组合布局图案是否符合所述第一布局栅格；响应于确定所述组合布局图案符合所述第一布局栅格而将所述组合布局图案转换成数据文件；及使用根据所述数据文件所制造的掩模来使基于半导体的晶片暴露于辐射。

本发明的实施例涉及一种系统，其包括存储程序指令的非暂时性计算机可读媒体及操作地耦合到所述非暂时性计算机可读媒体的处理器，其中所述程序指令在由所述处理器执行时致使所述处理器执行：根据第一光刻工艺产生与基于半导体的集成电路相关联的前段工艺(FEOL)区段的第一示意例子，其中所述第一示意例子与第一尺寸相关联；根据第二光刻工艺产生与所述基于半导体的集成电路相关联的后段工艺(BEOL)区段的第二示意例子，其中所述第二示意例子与第二尺寸相关联，其中所述第二光刻工艺与比与所述第一光刻工艺相关联的第一临界尺寸大的第二临界尺寸相关联；将所述第一示意例子连接到所述第二示意例子；确定所述第一示意例子及所述第二示意例子的组合尺寸是否适合于应用所述第二光刻工艺；及响应于确定所述第一示意例子及所述第二示意例子的所述组合尺寸适合于应用所述第二光刻工艺而将所述第一示意例子及所述第二示意例子转换成布局。

本发明的实施例涉及一种用于制造基于半导体的集成电路的方法，所述基于半导体的集成电路包括前段工艺(FEOL)区段及后段工艺(BEOL)区段，其中所述FEOL区段由硅光子工艺制造且所述BEOL区段由非硅光子工艺制造，所述方法包括：将与所述FEOL区段相关联的第一示意符号放置于与所述BEOL区段相关联的第二示意符号与第三示意符号之间；获得对应于所述第一示意符号的布局图案的沿X方向测量的第一长度及沿Y方向测量的第二长度；确定所述第一长度及所述第二长度是否为与所述非硅光子工艺相关联的布局栅格大小的整数倍；响应于确定所述第一长度及所述第二长度中的至少一者不是与所述非硅光子工艺相关联的所述布局栅格大小的整数倍而产生警告信号；及响应于确定所述第一长度及所述第二长度是与所述非硅光子工艺相关联的所述布局栅格大小的整数倍而至少部分基于对应于所述第一示意符号的所述布局图案来制造所述基于半导体的集成电路。

附图说明

从结合附图解读的以下详细描述最佳理解本公开内容的方面。应强调，根据行业标准做法，各种构件未按比例绘制。事实上，为使讨论清楚，可任意增大或减小各种构件的尺寸。

图1说明根据本发明的一些实施例的示范性EDA系统100。

图2说明根据本发明的一些实施例的IC的设计及制造的流程图。