[发明专利]CIS芯片的封装方法在审
申请号: | 202111528175.6 | 申请日: | 2021-12-14 |
公开(公告)号: | CN114256279A | 公开(公告)日: | 2022-03-29 |
发明(设计)人: | 蔡小虎;温建新;叶红波;史海军 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司;上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;B29C39/26;B29C39/10 |
代理公司: | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人: | 黄海霞 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | cis 芯片 封装 方法 | ||
本发明提供了一种CIS芯片的封装方法,包括将CIS芯片贴装于基板上;将盖板贴于CIS芯片的感光区域;通过键合丝实现焊盘与引脚的连接;将模具盖在基板上,并使CIS芯片以及引脚均置于模位内;向模位内注胶或塑封料,以覆盖位于模位内的裸露的芯片位表面、键合丝以及裸露的CIS芯片表面;去除模具,然后进行揭膜和捡片,以完成对CIS芯片的封装,基板呈平板状,去除了台支结构,并且将模具盖在基板上,并使CIS芯片以及引脚均置于模位内,向模位内注胶或塑封料,以覆盖位于模位内的裸露的芯片位表面、键合丝以及裸露的CIS芯片表面,去除了空腔,提高了整体的结合力,芯片位的边界形成有减薄痕,无需进行厚道切割,从而改善了翘曲。
技术领域
本发明涉及半导体封装技术领域,尤其涉及一种CIS芯片的封装方法。
背景技术
图1为现有技术中封装结构的示意图。图2为现有技术的封装流程图。如图1所示,管壳100一般为框架形,芯片在封装时,可通过银浆连接在管壳100内的底面位置上。在芯片102表面四周的边缘位置上设有多个焊盘,同时在管壳100内底面四周的边缘位置上环绕芯片102对应设置有多个引脚101。通过键合线103将焊盘和对应引脚101进行连接,玻璃盖板104盖于所述管壳100上。
如图2所示,现有的封装流程包括芯片减薄、划片、装片、键合、玻璃封装等环节,其应用如图1所述的管壳100,并最终形成如图1所示封装结构。
上述封装技术中,框架中具有台支、空腔等,整体结合力差,键合丝悬空容易断裂,并且若采用单独管壳单价高,开模费较大,若采用长条基板则切割应力大,容易造成翘曲,会影响后续表面贴装技术(Surface Mounted Technology,SMT)进程。
因此,有必要提供一种新型的CIS芯片的封装方法以解决现有技术中存在的上述问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种CIS芯片的封装方法,减少空腔,提高整体结合力,并且无需进行厚道切割,从而改善翘曲。
为实现上述目的,本发明的所述CIS芯片的封装方法,包括:
提供CIS芯片、盖板、基板和模具,所述CIS芯片上形成有多个焊盘,所述基板呈平板状,且所述基板上具有至少一个与所述CIS芯片相适配的芯片位,所述芯片位的边界形成有减薄痕,所述芯片位上形成有与所述焊盘一一对应的引脚,所述模具呈平板状,且所述模具上形成有贯穿所述模具的模位,所述模位的形状与所述芯片位相适配,所述模具的厚度大于所述CIS芯片的厚度;
将所述CIS芯片贴装于所述基板上;
将所述盖板贴于所述CIS芯片的感光区域;
通过键合丝实现所述焊盘与所述引脚的连接;
将所述模具盖在所述基板上,并使所述CIS芯片以及引脚均置于所述模位内;
向所述模位内注胶或塑封料,以覆盖位于所述模位内的裸露的芯片位表面、所述键合丝以及裸露的CIS芯片表面;
去除所述模具,然后进行揭膜和捡片,以完成对所述CIS芯片的封装。
所述封装方法的有益效果在于:所述基板呈平板状,去除了台支结构,并且将所述模具盖在所述基板上,并使所述CIS芯片以及引脚均置于所述模位内,向所述模位内注胶或塑封料,以覆盖位于所述模位内的裸露的芯片位表面、所述键合丝以及裸露的CIS芯片表面,去除了空腔,提高了整体的结合力,所述芯片位的边界形成有减薄痕,无需进行厚道切割,从而改善了翘曲。
可选地,所述芯片位上设有与所述CIS芯片相适配的芯片粘贴位,所述引脚位于所述芯片粘贴位之外,所述将所述CIS芯片贴于所述基板上,包括:在所述芯片粘贴位上点胶,然后将所述CIS芯片覆盖于所述芯片粘贴位上。其有益效果在于:便于精准固定所述CIS芯片的位置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的