[发明专利]CIS芯片的封装方法在审
申请号: | 202111528175.6 | 申请日: | 2021-12-14 |
公开(公告)号: | CN114256279A | 公开(公告)日: | 2022-03-29 |
发明(设计)人: | 蔡小虎;温建新;叶红波;史海军 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司;上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;B29C39/26;B29C39/10 |
代理公司: | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人: | 黄海霞 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | cis 芯片 封装 方法 | ||
1.一种CIS芯片的封装方法,其特征在于,包括:
提供CIS芯片、盖板、基板和模具,所述CIS芯片上形成有多个焊盘,所述基板呈平板状,且所述基板上具有至少一个与所述CIS芯片相适配的芯片位,所述芯片位的边界形成有减薄痕,所述芯片位上形成有与所述焊盘一一对应的引脚,所述模具呈平板状,且所述模具上形成有贯穿所述模具的模位,所述模位的形状与所述芯片位相适配,所述模具的厚度大于所述CIS芯片的厚度;
将所述CIS芯片贴装于所述基板上;
将所述盖板贴于所述CIS芯片的感光区域;
通过键合丝实现所述焊盘与所述引脚的连接;
将所述模具盖在所述基板上,并使所述CIS芯片以及引脚均置于所述模位内;
向所述模位内注胶或塑封料,以覆盖位于所述模位内的裸露的芯片位表面、所述键合丝以及裸露的CIS芯片表面;
去除所述模具,然后进行揭膜和捡片,以完成对所述CIS芯片的封装。
2.根据权利要求1所述的CIS芯片的封装方法,其特征在于,所述芯片位上设有与所述CIS芯片相适配的芯片粘贴位,所述引脚位于所述芯片粘贴位之外,所述将所述CIS芯片贴于所述基板上,包括:
在所述芯片粘贴位上点胶,然后将所述CIS芯片覆盖于所述芯片粘贴位上。
3.根据权利要求1所述的CIS芯片的封装方法,其特征在于,所述通过键合丝实现所述焊盘与所述引脚的连接,包括:
通过打线工艺,以通过键合丝实现所述焊盘与所述引脚的连接。
4.根据权利要求1所述的CIS芯片的封装方法,其特征在于,还包括:在半导体衬底上形成多个所述CIS芯片,通过划片以形成独立的多个所述CIS芯片。
5.根据权利要求1所述的CIS芯片的封装方法,其特征在于,还包括:在半导体衬底上形成多个所述CIS芯片,然后对所述CIS芯片的衬底进行减薄,然后通过划片以形成独立的多个所述CIS芯片。
6.根据权利要求1所述的CIS芯片的封装方法,其特征在于,所述向所述模位内注胶或塑封料,以覆盖位于所述模位内的裸露的芯片位表面、所述键合丝以及裸露的CIS芯片表面,包括:
向所述模位内注胶或塑封料,以覆盖位于所述模位内的裸露的芯片位表面、所述键合丝以及裸露的CIS芯片表面,直至仅裸露所述盖板的上表面。
7.根据权利要求1所述的CIS芯片的封装方法,其特征在于,还包括:
通过刻蚀或冲压在所述芯片位的边界形成所述减薄痕。
8.根据权利要求1所述的CIS芯片的封装方法,其特征在于,还包括:
通过刻蚀在所述模具上形成贯穿所述模具的模位。
9.根据权利要求1所述的CIS芯片的封装方法,其特征在于,所述盖板的材料为玻璃。
10.根据权利要求1所述的CIS芯片的封装方法,其特征在于,所述基板的材料为陶瓷。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的