[发明专利]微发光二极管及其制备方法、微发光元件和显示器

说明书

本申请公开了一种微发光二极管及其制备方法、微发光元件和显示器，微发光二极管包括外延层和介质层；外延层包括顺序排列的第一半导体层、有源层和第二半导体层，且具有相对设置的第一表面和第二表面，第一半导体层位于外延层靠近第一表面的一侧；外延层配置有台面，台面暴露出第一半导体层，且朝向第二表面；介质层覆盖第一表面和外延层的至少部分侧壁，且介质层在外延层侧壁的高度Hsubgt;1/subgt;小于台面的高度。本申请在外延层中的第一表面设置介质层，该介质层可作为应力修复层，在利用激光剥离工艺使基板与微发光二极管分离的过程中，避免外延层出现裂缝等缺陷或者避免利用蚀刻工艺对外延层所造成的粗化损伤进一步扩大，提高微发光二极管的可靠性。

技术领域

本申请涉及半导体相关技术领域，尤其涉及一种微发光二极管及其制备方法、微发光元件和显示器。

背景技术

微发光二极管具有低功耗、高度亮、超高分辨率与色彩饱和度、响应速度快、寿命长等优点，是目前热门研究的下一代显示技术。巨量转移技术是微发光二极管显示技术中不可或缺的一个环节，其主要是将微发光二极管转移到特定基板上，并组装成二维周期阵列。

激光巨量转移技术是一种较为常用的巨量转移技术，其包括以下过程：

1)微发光二极管的一侧通过胶膜与基板连接，该胶膜可在激光下剥离；

2)微发光二极管的另一侧与具有驱动电路的基底键合；利用激光剥离工艺将基板与微发光二极管分离，并去除胶膜。

微发光二极管包括厚度较薄的外延层，外延层具有一经粗化处理的出光面，微发光二极管靠近出光面侧通过胶膜与基板连接，远离出光面侧与具有驱动电路的基底键合。在微发光二极管与基底键合的过程中，外延层需承受较大的应力，且在基板与微发光二极管分离的过程中上述应力释放，从而易导致外延层出现裂缝等缺陷或者导致出光面中的粗化损伤进一步扩大。在去除胶膜过程中，上述裂缝等缺陷或者粗化损伤会进一步扩大，导致微发光二极管失效。

发明内容

本申请的目的在于提供一种微发光二极管，其在外延层中的第一表面设置介质层，该介质层可作为应力修复层，在利用激光剥离工艺使基板与微发光二极管分离的过程中，避免外延层出现裂缝等缺陷或者避免利用蚀刻工艺对外延层所造成的粗化损伤进一步扩大，提高微发光二极管的可靠性。

另一目的还在于提供一种微发光二极管的制备方法、微发光元件、以及一种显示器。

第一方面，本申请实施例提供了一种微发光二极管，其包括：

外延层，包括顺序排列的第一半导体层、有源层和第二半导体层；外延层具有相对设置的第一表面和第二表面，第一半导体层位于外延层靠近第一表面的一侧；外延层配置有台面，台面暴露出第一半导体层，且朝向第二表面；

介质层，覆盖第一表面和外延层的至少部分侧壁；介质层在外延层侧壁的高度H₁小于台面的高度。

在一种可能的实施方案中，介质层在外延层侧壁的高度H₁大于等于2μm，且小于等于6μm。

在一种可能的实施方案中，介质层在外延层侧壁的厚度D₁为0～2μm。

在一种可能的实施方案中，介质层在第一表面的厚度D₂大于等于0.03μm，且小于等于2μm。

在一种可能的实施方案中，介质层的材料包括氧化硅、氮化硅、氧化钛、氧化铝或者氟化镁。

在一种可能的实施方案中，第一表面的至少部分区域被配置为由规则或不规则图形所形成的粗糙区域，且粗糙区域为移除部分外延层后形成。

在一种可能的实施方案中，第一表面包括粗糙部和平台部，平台部环绕于粗糙部的外围，且粗糙部相对于平台部向第二表面方向凹陷。