[发明专利]微发光二极管及其制备方法、微发光元件和显示器

权利要求书

1.一种微发光二极管，其特征在于，包括：

外延层，包括顺序排列的第一半导体层、有源层和第二半导体层；所述外延层具有相对设置的第一表面和第二表面，所述第一半导体层位于所述外延层靠近第一表面的一侧；所述外延层配置有台面，所述台面暴露出所述第一半导体层，且朝向所述第二表面；

介质层，覆盖所述第一表面和所述外延层的至少部分侧壁；所述介质层在外延层侧壁的高度H₁小于所述台面的高度。

2.根据权利要求1所述的微发光二极管，其特征在于，所述介质层在外延层侧壁的高度H₁大于等于2μm，且小于等于6μm。

3.根据权利要求1所述的微发光二极管，其特征在于，所述介质层在外延层侧壁的厚度D₁为0～2μm。

4.根据权利要求1所述的微发光二极管，其特征在于，所述介质层在第一表面的厚度D₂大于等于0.03μm，且小于等于2μm。

5.根据权利要求1所述的微发光二极管，其特征在于，所述介质层的材料包括氧化硅、氮化硅、氧化钛、氧化铝或者氟化镁。

6.根据权利要求1所述的微发光二极管，其特征在于，所述第一表面的至少部分区域被配置为由规则或不规则图形所形成的粗糙区域，且所述粗糙区域为移除部分外延层后形成。

7.根据权利要求1所述的微发光二极管，其特征在于，所述第一表面包括粗糙部和平台部，所述平台部环绕于所述粗糙部的外围，且所述粗糙部相对于所述平台部向第二表面方向凹陷。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的微发光二极管，其特征在于，还包括：

第一绝缘层，覆盖所述第二表面和所述外延层的至少部分侧壁；

台阶结构，包括由所述介质层形成的第一台阶和由所述第一绝缘层形成的第二台阶，在水平方向上所述第一台阶超出所述第二台阶，且所述第一台阶超出第二台阶的宽度等于所述介质层在外延层侧壁的厚度D₁。

9.根据权利要求8所述的微发光二极管，其特征在于，还包括：

第一电极，与第一半导体层电连接；

第二电极，与第二半导体层电连接。

10.根据权利要求9所述的微发光二极管，其特征在于，所述第一电极和第二电极的部分侧壁或者全部侧壁覆盖有第二绝缘层，所述第二绝缘层的厚度在高度方向上递减。

11.根据权利要求1所述的微发光二极管，其特征在于，所述微发光二极管的最小尺寸为0.5～5μm、5～10μm、10～20μm、20～50μm或50～100μm。

12.根据权利要求1所述的微发光二极管，其特征在于，所述外延层的厚度为1～5μm。

13.根据权利要求1所述的微发光二极管，其特征在于，所述介质层所覆盖的那部分外延层侧壁与竖直面的夹角介于0°～45°；或者，所述介质层所覆盖的那部分外延层侧壁与竖直面的夹角介于-30°～0°。

14.一种微发光二极管的制备方法，其特征在于，包括：

形成外延层，所述外延层包括顺序排列的第一半导体层、有源层和第二半导体层；所述外延层具有相对设置的第一表面和第二表面，所述第一半导体层位于所述外延层靠近第一表面的一侧；

自所述第二表面刻蚀所述外延层并形成台面，所述台面暴露出所述第一半导体层，且朝向所述第二表面；

形成介质层，所述介质层覆盖所述第一表面并自所述第一表面延伸至所述外延层的侧壁，所述介质层在外延层侧壁的高度H₁小于所述台面的高度。