[发明专利]基板、微型发光二极管芯片的转移方法和转移装置在审

专利信息
申请号: 202111492907.0 申请日: 2021-12-08
公开(公告)号: CN114420799A 公开(公告)日: 2022-04-29
发明(设计)人: 邱成峰;莫炜静 申请(专利权)人: 深圳市思坦科技有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L21/683;H01L27/12
代理公司: 深圳中细软知识产权代理有限公司 44528 代理人: 田丽丽
地址: 518000 广东省深圳市龙华区大浪街*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 基板 微型 发光二极管 芯片 转移 方法 装置
【说明书】:

发明公开了一种基板、微型发光二极管芯片的转移方法和转移装置,转移方法包括以下过程:提供带有漂浮层的微型发光二极管芯片,漂浮层形成于微型发光二极管芯片的一侧表面;将带有漂浮层的微型发光二极管芯片置于溶液中,微型发光二极管芯片在漂浮层的作用下漂浮于溶液的液面上;提供转移基板,转移基板上设有多个用于容纳微型发光二极管芯片的槽体,槽体的位置与微型发光二极管在有源驱动背板上的位置相同,将转移基板从溶液的液面以下向溶液的液面上升,上升过程中,转移基板托起带有漂浮层的微型发光二极管芯片,震动转移基板,使带有漂浮层的微型发光二极管芯片落入槽体内。本发明能提高微型发光二极管芯片的转移效率、良品率和定位精度。

技术领域

本发明涉及微型发光二极管制造技术领域,更具体地,涉及一种基板、微型发光二极管芯片的转移方法和转移装置。

背景技术

由于微型发光二极管的亮度、对比度、寿命、响应时间、可视角度和分辨率等各种指标都强于LCD和OLED显示技术,因此,业界将微型发光二极管显示技术视为下一代显示技术。

微型发光二极管显示技术是将传统的发光二极管结构进行微缩化和阵列化,并采用CMOS集成电路工艺制作驱动电路,来实现对每一个像素点的定址控制和单独驱动的显示技术。

微型发光二极管的巨量转移技术是产业化的一个关键技术之一;所谓巨量转移,是在微型发光二极管芯片制作完成之后,将大量微型发光二极管芯片转移到有源驱动背板上的技术。由于微型发光二极管芯片非常细小(通常为几十微米),因此如何高效率、高良品率和高精度的转移微型发光二极管芯片成为业界亟待解决的技术问题之一。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术存在的上述缺陷,提供一种基板、微型发光二极管芯片的转移方法和转移装置,提高微型发光二极管芯片的转移效率、良品率和定位精度。

为实现上述目的,本发明的技术方案如下:

一种微型发光二极管芯片的转移方法,包括以下过程:

提供带有漂浮层的微型发光二极管芯片,所述漂浮层形成于所述微型发光二极管芯片的一侧表面;

将所述带有漂浮层的微型发光二极管芯片置于溶液中,所述微型发光二极管芯片在所述漂浮层的作用下漂浮于所述溶液的液面上;

提供基板,所述基板上设有多个用于容纳所述微型发光二极管芯片的槽体,所述槽体的位置与所述微型发光二极管在有源驱动背板上的位置相同,所述槽体具有磁性,能够磁吸所述微型发光二极管芯片的电极,将所述基板从所述溶液的液面以下向所述溶液的液面上升,上升过程中,所述基板托起所述微型发光二极管芯片,震动所述基板,使所述微型发光二极管芯片落入所述槽体内,且使所述电极与所述槽体相吸合,得到装载有所述微型发光二极管芯片的基板;

去除所述漂浮层,将所述微型发光二极管芯片键合至所述有源驱动背板。

本发明还提供了一种实现上述微型发光二极管芯片的转移方法的转移装置,包括用于容纳溶液的腔体、设置于所述腔体底部的载台、用于升降所述载台的升降机构、固定于所述载台上的基板、设置于所述载台上并用于固定所述基板的锁紧机构以及用于震动所述基板的震动机构,所述基板上设有多个用于容纳微型发光二极管芯片的槽体,所述槽体的位置与所述微型发光二极管在有源驱动背板上的位置相同,所述槽体的底部和侧壁设置有带有磁性的金属层;

向所述腔体内注溶液,所述基板通过所述锁紧机构固定于所述载台上,且位于所述溶液的液面以下,将带有漂浮层的微型发光二极管芯片置于所述溶液中,所述漂浮层形成于所述微型发光二极管芯片的一侧表面,所述微型发光二极管芯片在所述漂浮层的作用下漂浮于所述溶液的液面上,所述升降机构驱动所述载台带动所述基板上升,上升过程中,所述基板托起所述微型发光二极管芯片,所述震动机构驱动所述基板震动,使所述微型发光二极管芯片落入所述槽体内,且使所述微型发光二极管芯片的电极与所述带有磁性的金属层相磁吸。

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