[发明专利]基板、微型发光二极管芯片的转移方法和转移装置

权利要求书

1.一种微型发光二极管芯片的转移方法，其特征在于，包括以下过程：

提供带有漂浮层的微型发光二极管芯片，所述漂浮层形成于所述微型发光二极管芯片的一侧表面；

将所述带有漂浮层的微型发光二极管芯片置于溶液中，所述微型发光二极管芯片在所述漂浮层的作用下漂浮于所述溶液的液面上；

提供基板，所述基板上设有多个用于容纳所述微型发光二极管芯片的槽体，所述槽体的位置与所述微型发光二极管在有源驱动背板上的位置相同，所述槽体具有磁性，能够磁吸所述微型发光二极管芯片的电极，将所述基板从所述溶液的液面以下向所述溶液的液面上升，上升过程中，所述基板托起所述微型发光二极管芯片，震动所述基板，使所述微型发光二极管芯片落入所述槽体内，且使所述电极与所述槽体相吸合，得到装载有所述微型发光二极管芯片的基板；

去除所述漂浮层，将所述微型发光二极管芯片键合至所述有源驱动背板。

2.根据权利要求1所述的微型发光二极管芯片的转移方法，其特征在于，所述基板为转移基板，所述带有漂浮层的微型发光二极管芯片的制备方法，包括以下过程：

提供微型发光二极管阵列板，所述微型发光二极管阵列板包括生长衬底和间隔分布于所述生长衬底上的多个所述微型发光二极管芯片，在所述微型发光二极管芯片的所述电极的一侧表面形成所述漂浮层；

将所述微型发光二极管芯片从所述生长衬底剥离，得到所述带有漂浮层的微型发光二极管芯片，所述漂浮层形成于所述电极的一侧表面。

3.根据权利要求2所述的微型发光二极管芯片的转移方法，其特征在于，所述去除所述漂浮层，将所述微型发光二极管芯片键合至所述有源驱动背板包括以下过程：

使用临时转移装置与所述微型发光二极管芯片的背离所述电极的一侧表面相结合，使所述基板上的所述微型发光二极管芯片转移至所述临时转移装置上，露出所述漂浮层，去除所述漂浮层，露出所述电极；

利用所述临时转移装置带动所述微型发光二极管芯片至所述有源驱动背板上方，使所述微型发光二极管芯片键合至所述有源驱动背板。

4.根据权利要求1所述的微型发光二极管芯片的转移方法，其特征在于，所述基板为所述有源驱动背板，所述带有漂浮层的微型发光二极管芯片的制备方法，包括以下过程：

提供微型发光二极管阵列板，所述微型发光二极管阵列板包括生长衬底和间隔分布于所述生长衬底上的多个所述微型发光二极管芯片；

将所述微型发光二极管芯片的所述电极的一侧表面与临时转移装置相结合，剥离所述生长衬底，得到结合有所述微型发光二极管芯片的临时转移装置；

在所述微型发光二极管芯片的背离所述电极的一侧表面形成所述漂浮层，将所述微型发光二极管芯片从所述临时转移装置剥离，得到所述带有漂浮层的微型发光二极管芯片，所述漂浮层形成于所述微型发光二极管芯片的背离所述电极的一侧表面。

5.根据权利要求4所述的微型发光二极管芯片的转移方法，其特征在于，所述去除所述漂浮层，将所述微型发光二极管芯片键合至所述有源驱动背板包括以下过程：

采用加热加压的方法使所述微型发光二极管芯片键合至所述有源驱动背板，所述漂浮层被加热固化后形成一层薄膜，撕掉所述薄膜，从而去除所述漂浮层。

6.根据权利要求3～5中任意一项所述的微型发光二极管芯片的转移方法，其特征在于，所述临时转移装置包括真空吸附转移装置、具有粘结性的临时转移基板、磁力转移装置或静电转移装置。

7.根据权利要求1～5中任意一项所述的微型发光二极管芯片的转移方法，其特征在于，所述漂浮层的材料选自聚乙烯和氯化聚乙烯的一种或两种。

8.根据权利要求1～5中任意一项所述的微型发光二极管芯片的转移方法，其特征在于，所述基板的制备方法，包括以下过程：

提供本体，在所述本体上表面形成绝缘层，刻蚀所述绝缘层，形成所述槽体；

在所述槽体的底部和侧壁形成带有磁性的金属层，使所述槽体具有磁性。