[发明专利]一种显示面板及其制备方法、显示装置在审
| 申请号: | 202111473555.4 | 申请日: | 2021-11-29 |
| 公开(公告)号: | CN116190408A | 公开(公告)日: | 2023-05-30 |
| 发明(设计)人: | 李云泽;钱先锐;李洋;廖小刚;万宝红;袁盼;汪浩 | 申请(专利权)人: | 成都辰显光电有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/62 |
| 代理公司: | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人: | 范坤坤 |
| 地址: | 611731 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 显示 面板 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本发明公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置。显示面板包括:驱动模组包括第一衬底基板;设置在第一衬底基板一侧的驱动电路层;设置在驱动电路层远离第一衬底基板一侧的导电柱;设置在第一开口内的连接层;芯片模组包括第二衬底基板;设置在第二衬底基板一侧的封装芯片层;设置在封装芯片层远离第二衬底基板一侧的键合导电层,包括多个键合电极;设置在键合导电层远离封装芯片层一侧的过渡层;过渡层对应导电柱位置具有凹陷部,过渡层与连接层键合设置,凹陷部用于容置导电柱,每个导电柱分别通过一个键合电极与芯片电连接。本方案能够有效改善芯片电极与导电柱之间由于对位不准确导致的错位、翘曲、电极短路等问题,提升了显示面板的良率。
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode,Micro LED)是指像素之间的距离为微米等级的LED器件。Micro LED显示装置作为新一代的显示技术,具有体积小、色域宽、亮度高、寿命较长的优势,并且其工作电压低、发光效率较高、响应速度快、性能稳定可靠、工作温度范围宽,能很好的满足各种需要,是未来微显示技术的主流发展方向。
现有的Micro LED显示面板在制备时,容易出现Bonding错位、芯片翘曲、电极短路等问题,导致Micro LED显示面板出现暗点、芯片脱落、显示不均等不良,影响显示面板的良率。
发明内容
本发明提供一种显示面板及其制备方法、显示装置,能够有效改善芯片电极与导电柱之间由于对位不准确导致的错位、翘曲、电极短路等问题,提升了显示面板的良率。
第一方面,本发明实施例提供一种显示面板,包括:驱动模组和芯片模组;
其中,驱动模组包括:第一衬底基板;设置在第一衬底基板一侧的驱动电路层;设置在驱动电路层远离第一衬底基板一侧的多个间隔设置的导电柱,任意相邻的导电柱之间具有第一开口;设置在第一开口内的连接层;
芯片模组包括:第二衬底基板;设置在第二衬底基板一侧的封装芯片层,封装芯片层包括封装结构和芯片;设置在封装芯片层远离第二衬底基板一侧的键合导电层,键合导电层包括多个相互独立的键合电极,一个键合电极与一个芯片的一个电极电连接;设置在键合导电层远离封装芯片层一侧的过渡层;
过渡层对应导电柱的位置具有凹陷部,过渡层与连接层键合设置,凹陷部用于容置导电柱,每个导电柱分别通过一个键合电极与芯片电连接。
如上的显示面板,可选地,任意相邻的键合电极之间具有第二开口;芯片模组还包括:
设置在第二开口内的保护层。
如上的显示面板,可选地,过渡层和连接层的厚度之和等于导电柱的厚度。
第二方面,本发明实施例还提供了一种显示装置,该显示装置包括具有上述第一方面任一特征的显示面板。
第三方面,本发明实施例还提供了一种显示面板的制备方法,包括:
分别形成驱动模组和芯片模组,驱动模组包括:第一衬底基板;设置在第一衬底基板一侧的驱动电路层;设置在驱动电路层远离第一衬底基板一侧的多个间隔设置的导电柱,任意相邻的导电柱之间具有第一开口;设置在第一开口内的连接层,芯片模组包括:第二衬底基板;设置在第二衬底基板一侧的封装芯片层,封装芯片层包括封装结构和芯片;设置在封装芯片层远离第二衬底基板一侧的键合导电层,键合导电层包括多个相互独立的键合电极,一个键合电极与一个芯片的一个电极电连接;设置在键合导电层远离封装芯片层一侧的过渡层;
将驱动模组的连接层和芯片模组的过渡层键合,每个导电柱分别通过一个键合电极与芯片电连接。
如上的显示面板的制备方法,可选地,形成驱动模组,包括:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





