[发明专利]一种显示面板及其制备方法、显示装置在审
| 申请号: | 202111473555.4 | 申请日: | 2021-11-29 |
| 公开(公告)号: | CN116190408A | 公开(公告)日: | 2023-05-30 |
| 发明(设计)人: | 李云泽;钱先锐;李洋;廖小刚;万宝红;袁盼;汪浩 | 申请(专利权)人: | 成都辰显光电有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/62 |
| 代理公司: | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人: | 范坤坤 |
| 地址: | 611731 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 显示 面板 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:驱动模组和芯片模组;
其中,所述驱动模组包括:第一衬底基板;设置在所述第一衬底基板一侧的驱动电路层;设置在驱动电路层远离第一衬底基板一侧的多个间隔设置的导电柱,任意相邻的所述导电柱之间具有第一开口;设置在所述第一开口内的连接层;
所述芯片模组包括:第二衬底基板;设置在所述第二衬底基板一侧的封装芯片层,所述封装芯片层包括封装结构和芯片;设置在所述封装芯片层远离所述第二衬底基板一侧的键合导电层,所述键合导电层包括多个相互独立的键合电极,一个所述键合电极与一个所述芯片的一个电极电连接;设置在所述键合导电层远离所述封装芯片层一侧的过渡层;
所述过渡层对应所述导电柱的位置具有凹陷部,所述过渡层与所述连接层键合设置,所述凹陷部用于容置所述导电柱,每个所述导电柱分别通过一个所述键合电极与所述芯片电连接。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,任意相邻的所述键合电极之间具有第二开口;所述芯片模组还包括:
设置在所述第二开口内的保护层。
3.根据权利要求1或2所述的显示面板,其特征在于,所述过渡层和所述连接层的厚度之和等于所述导电柱的厚度。
4.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-3中任意一项所述的显示面板。
5.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括:
分别形成驱动模组和芯片模组,所述驱动模组包括:第一衬底基板;设置在所述第一衬底基板一侧的驱动电路层;设置在驱动电路层远离第一衬底基板一侧的多个间隔设置的导电柱,任意相邻的所述导电柱之间具有第一开口;设置在所述第一开口内的连接层,所述芯片模组包括:第二衬底基板;设置在所述第二衬底基板一侧的封装芯片层,所述封装芯片层包括封装结构和芯片;设置在所述封装芯片层远离所述第二衬底基板一侧的键合导电层,所述键合导电层包括多个相互独立的键合电极,一个所述键合电极与一个所述芯片的一个电极电连接;设置在所述键合导电层远离所述封装芯片层一侧的过渡层;
将所述驱动模组的所述连接层和所述芯片模组的所述过渡层键合,每个所述导电柱分别通过一个所述键合电极与所述芯片电连接。
6.根据权利要求5所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述形成驱动模组,包括:
在所述第一衬底基板的一侧形成所述驱动电路层;
在所述驱动电路层远离所述第一衬底基板的一侧形成第一导电材料层,并对所述第一导电材料层进行构图工艺,形成多个间隔设置的所述导电柱,任意相邻的所述导电柱之间具有第一开口;
在所述第一开口内形成所述连接层,所述连接层的厚度小于所述导电柱的厚度。
7.根据权利要求5所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述形成芯片模组,包括:
在辅助衬底基板上形成过渡材料层;
在所述过渡材料层远离所述辅助衬底基板的一侧形成第二导电材料层;
在所述第二导电材料层远离所述过渡材料层的一侧形成所述封装芯片层;
在所述封装芯片层远离所述第二导电材料层的一侧形成所述第二衬底基板;
去除所述辅助衬底基板,并对所述过渡材料层和所述第二导电材料层进行第一次构图工艺,形成所述键合导电层;
对所述过渡材料层进行第二次构图工艺,形成所述过渡层,所述过渡层对应所述导电柱的位置具有凹陷部,所述凹陷部用于在所述连接层和所述过渡层键合时容置所述导电柱。
8.根据权利要求7所述的显示面板的制备方法,其特征在于,任意相邻的所述键合电极之间具有第二开口,所述芯片模组还包括保护层;
在对所述过渡材料层进行第二次构图工艺前,还包括:
在所述第二开口内形成所述保护层。
9.根据权利要求5所述的显示面板的制备方法,其特征在于,在将所述驱动模组的所述连接层和所述芯片模组的所述过渡层键合后,还包括:
去除所述第一衬底基板和/或所述第二衬底基板。
10.根据权利要求8所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述导电柱的材料与所述键合导电层的材料相同;所述保护层的材料与所述连接层的材料相同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





