[发明专利]一种单面电镀工艺中印刷掩膜后开槽的设备及方法

权利要求书

1.一种单面电镀工艺中印刷掩膜后开槽的设备，其特征在于，包括：依次设置的用于处理硅片的水蒸汽腔、第一烘干腔、酸性气体腔、第一纯水清洗槽、碱洗槽、第二纯水清洗槽和第二烘干腔；

所述水蒸汽腔、所述第一烘干腔、所述酸性气体腔、所述第一纯水清洗槽、所述碱洗槽、所述第二纯水清洗槽和所述第二烘干腔内均设置有传送滚轮，所述传送滚轮被设置为放置和传输硅片。

2.根据权利要求1所述的一种单面电镀工艺中印刷掩膜后开槽的设备，其特征在于：所述水蒸汽腔内设置有多组水蒸汽发生器和喷射口，所述喷射口被设置为向所述硅片表面喷射水蒸汽，所述喷射口喷出的所述水蒸汽的量可调节。

3.根据权利要求1或2所述的一种单面电镀工艺中印刷掩膜后开槽的设备，其特征在于：所述水蒸汽腔与所述第一烘干腔连接处设置有与所述传送滚轮配合的至少一个吸水滚轮。

4.根据权利要求3所述的一种单面电镀工艺中印刷掩膜后开槽的设备，其特征在于：所述第一烘干腔与所述水蒸汽腔连接处设置有与所述传送滚轮配合的至少一个所述吸水滚轮，用于去除所述硅片表面掩膜上的多余水分。

5.根据权利要求4所述的一种单面电镀工艺中印刷掩膜后开槽的设备，其特征在于：所述第一烘干腔内与所述水蒸汽腔连接处还设置有气帘，用于保持所述硅片背面干燥。

6.根据权利要求1所述的一种单面电镀工艺中印刷掩膜后开槽的设备，其特征在于：所述酸性气体腔包括纵向设置的上腔和下腔，所述下腔宽于所述上腔设置。

7.根据权利要求6所述的一种单面电镀工艺中印刷掩膜后开槽的设备，其特征在于：所述下腔内设置有至少一组风机，被设置于使酸性气体自上而下循环。

8.根据权利要求1所述的一种单面电镀工艺中印刷掩膜后开槽的设备，其特征在于：所述碱洗槽至少设置有两个，所述碱洗槽内可盛放用于去除掩膜的碱液或专用的化学试剂。

9.根据权利要求1所述的一种单面电镀工艺中印刷掩膜后开槽的设备，其特征在于：所述第一纯水清洗槽被设置为去除多余酸液；所述第二纯水清洗槽被设置为去除多余碱液或专用的化学试剂。

10.一种单面电镀工艺中印刷掩膜后开槽的方法，其特征在于，适用于权利要求1所述的一种单面电镀工艺中印刷掩膜后开槽的设备，步骤为：

上料：将所述硅片依次设置于所述传送滚轮上，启动所述传送滚轮；

水蒸汽喷湿：所述硅片在所述传送滚轮的带动下进入至所述水蒸汽腔，进入所述水蒸汽腔后会在所述硅片表面沉积一层水珠，由于亲水性差异，钝化膜区域沉积比掩膜处沉积的多；

烘干：所述硅片在所述传送滚轮的带动下进入至所述第一烘干腔，所述硅片进入所述第一烘干腔后，所述掩膜上的少量的水会被所述第一烘干腔中的吸水滚轮去除并烘干，所述硅片背面上的水会被烘干，所述钝化膜区域的水保留；

酸雾腐蚀：所述硅片在所述传送滚轮的带动下进入至所述酸性气体腔，所述硅片进入所述酸性气体腔后，所述酸性气体腔中的酸性气体在所述酸性气体腔内风机的带动下自上而下循环，所述酸性气体溶于所述钝化膜区域上残留的水中，形成酸腐蚀钝化膜，所述硅片背面和所述掩膜不被腐蚀；

纯水清洗：所述硅片在所述传送滚轮的带动下进入至所述第一纯水清洗槽，去除所述硅片表面多余的酸液；

碱洗：所述硅片在所述传送滚轮的带动下进入至所述碱洗槽，通过碱液或专用的化学试剂去除所述掩膜，并将硅片表面的掩膜材料冲到所述碱洗槽中的收集盒内；

纯水清洗：所述硅片在所述传送滚轮的带动下进入至所述第二纯水清洗槽，去除所述硅片表面多余的碱液；

烘干下料：所述硅片在所述传送滚轮的带动下进入至所述第二烘干腔，将所述硅片烘干后下料。