[发明专利]一种晶圆表面清洗的方法在审
申请号: | 202111413082.9 | 申请日: | 2021-11-25 |
公开(公告)号: | CN113964066A | 公开(公告)日: | 2022-01-21 |
发明(设计)人: | 叶顺闵;林伯璋;蔡孟霖;蘇政宏 | 申请(专利权)人: | 滁州钰顺企业管理咨询合伙企业(有限合伙) |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/673;H01L21/02;B08B3/08 |
代理公司: | 北京七夏专利代理事务所(普通合伙) 11632 | 代理人: | 刘毓珍 |
地址: | 239200 安徽省滁*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 表面 清洗 方法 | ||
1.一种晶圆表面清洗的方法,其特征在于,包含如下步骤:
提供晶圆且该晶圆正面贴附保护胶,将该晶圆放入适用尺寸之晶舟盒内,接着将该晶舟盒放置入清洗机构,藉由清洗机构中清洗区内的顶出部,使晶舟盒能依预设角度放置于清洗区内且让晶圆能完全被清洗液完整清洗洁净。
2.根据权利要求1所述的一种晶圆表面清洗的方法,其特征在于,该晶舟盒为铁氟龙晶舟盒;晶舟盒内放晶圆尺寸为4in、5in、6in、8in与12in中任意一种。
3.根据权利要求1所述的一种晶圆表面清洗的方法,其特征在于,晶舟盒内所置放的晶圆片数依据清洗要求不同而置放。
4.根据权利要求1所述的一种晶圆表面清洗的方法,其特征在于,晶舟盒内设有若干个置入槽,晶舟盒的盒体的前端侧壁和后端侧壁的顶部均设有固定件,所述的固定件之间设有手把部以便提拿。
5.根据权利要求1所述的一种晶圆表面清洗的方法,其特征在于,清洗机构依功分别设有抛光槽与清洗槽,所述抛光槽内所使用的清洗液为硝酸、醋酸、氢氟酸中的一种或者多种;清洗槽内所使用的清洗液为纯水;清洗槽运转的纯水阻值至少为1MΩ以上。
6.根据权利要求1所述的一种晶圆表面清洗的方法,其特征在于,清洗机构设有置入口可供置入晶舟盒,并设有清洗区可供放置晶舟盒,并于清洗区内设有一顶出部可供置入的晶舟盒放置,所述顶出部设有一个承载面,该承载面底部设有一个调节件可供承载面依据需求调整置入晶舟盒的倾斜角度。
7.根据权利要求6所述的一种晶圆表面清洗的方法,其特征在于,顶出部的角度设定为使晶圆的贴胶面倚靠晶舟盒前端部的方向。
8.根据权利要求6所述的一种晶圆表面清洗的方法,其特征在于,承载面及顶出部可依各种形状与形式设于清洗区。
9.根据权利要求4所述的一种晶圆表面清洗的方法,其特征在于,晶圆放置于晶舟盒内其贴胶面面向前端;6in及其以下尺寸晶圆平边于晶舟盒内朝上摆放;8in及以上尺寸晶圆Notch于晶舟盒内朝左摆放;晶圆放置于晶舟盒内为间隔摆放;圆间隔放置且且最靠近端部的晶圆为晶圆样品。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造