[发明专利]三维存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种三维存储器的制备方法，包括：

形成第一半导体结构，包括：在第一衬底上形成存储串结构；

形成第二半导体结构，包括：在第二衬底上形成外围器件；以及

键合连接所述第一半导体结构和所述第二半导体结构，使得所述存储串结构和所述外围器件电连接，并位于所述第一衬底和所述第二衬底之间，其特征在于，

在键合连接所述第一半导体结构和所述第二半导体结构之前，形成在所述第一衬底中且与所述存储串结构电连接的第一接触结构，或者形成在所述第二衬底中且与所述外围器件电连接的第二接触结构。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，形成在所述第二衬底中且与所述外围器件电连接的第二接触结构的步骤包括：

在所述第二衬底上形成所述外围器件之前，形成所述第二接触结构。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二接触结构在所述第二衬底中的延伸深度小于所述第二衬底的厚度，

其中，键合连接所述第一半导体结构和所述第二半导体结构的步骤之后，所述方法还包括：

减薄所述第二衬底以暴露所述第二接触结构。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二接触结构在所述第二衬底中的延伸深度等于所述第二衬底的厚度，

其中，键合连接所述第一半导体结构和所述第二半导体结构的步骤之后，所述方法还包括：

减薄所述第二衬底。

5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，键合连接所述第一半导体结构和所述第二半导体结构的步骤之后，所述方法还包括：

在所述第二衬底的远离所述第一半导体结构的一侧，形成与所述第二接触结构连接的焊盘结构。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，形成在所述第二衬底中且与所述外围器件电连接的第二接触结构的步骤包括：

形成从所述第二衬底的形成有所述外围器件的一侧向相对的另一侧延伸的开孔；以及

在所述开孔内填充导电材料，以形成所述第二接触结构。

7.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在第一衬底上形成存储串结构的步骤包括：

在所述第一衬底上形成叠层结构；

形成贯穿所述叠层结构至所述第一衬底的存储串孔；

在所述存储串孔的底部形成外延层；

在部分所述外延层的表面和所述存储串孔的侧壁形成功能层；以及

在所述功能层的表面形成与所述外延层接触的沟道层。

8.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在第一衬底上形成存储串结构的步骤包括：

在所述第一衬底上依次形成第一源极层和叠层结构；

形成贯穿所述叠层结构至所述第一源极层的存储串孔；

在所述存储串孔的底部形成外延层；

在部分所述外延层的表面和所述存储串孔的侧壁形成功能层；以及

在所述功能层的表面形成与所述外延层接触的沟道层。

9.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在第一衬底上形成存储串结构的步骤包括：

在所述第一衬底上依次形成源极牺牲层和叠层结构；

形成贯穿所述叠层结构和所述源极牺牲层的存储串孔；

在所述存储串孔的内壁依次形成功能层和沟道层；

形成贯穿所述叠层结构至所述源极牺牲层的栅极缝隙；

经由所述栅极缝隙，去除所述源极牺牲层和所述功能层的与所述源极牺牲层对应的部分，以形成牺牲间隙；以及

在所述牺牲间隙内形成第二源极层。

10.根据权利要求7至9中任一项所述的制备方法，其特征在于，形成第一半导体结构的步骤还包括：

在所述第一衬底的形成有所述存储串结构的一侧，形成与所述第一衬底、所述第一源极层以及所述第二源极层的其中之一接触的贯穿触点结构。