[发明专利]一种异质结太阳电池的电极栅级制作方法

说明书

本发明提供一种异质结太阳电池的电极栅级制作方法，在硅片经过清洗制绒、沉积非晶硅、沉积透明导电层后，再沉积一层金属导电层，然后在金属导电层上制作掩膜并固化稳定，再进一步使用激光刻划掉部分掩膜形成所需的电极栅线图形，然后对片子进行清洗和干燥使电极栅线图形下的金属导电层裸露出来，再然后进行电镀形成电极栅线，最后将掩膜去掉并刻蚀掉除电极栅线外的金属导电层，制作出成品电池。本发明成本较低，且制作的电极栅线导电性好，电池转换效率高，在目前银金属价格上涨导致银栅线异质结电池成本上涨的现状下具有积极意义，且低成本高效异质结电池的制作方法有利于推进异质结电池的产业化发展。

技术领域

本发明涉及太阳能电池制造的技术领域，是一种异质结太阳电池的电极栅级制作方法。

背景技术

随着太阳电池技术的不断发展，行业已慢慢从传统太阳电池进阶为新型高效电池，而作为新型高效电池之一的异质结电池，其具有结构简单、工艺温度低、转换效率高、温度系数好等优点正得到行业内各家企业的青睐。特别是叠加组件增效技术后，高效电池显著降低度电成本的优势越来越明显。

然而，随着全球贵金属价格的不断上涨，银浆成本受银价影响也在不断上涨。同时异质结电池印刷使用的低温银浆，银颗粒较细，成本较传统太阳电池使用的高温银浆要高。最后，异质结电池为保证电池高效率，在背光面需要印刷密集栅线，银浆耗量高。三方面综合导致异质结电池制作成本骤然上升，不利于异质结电池技术的推广。

发明内容

针对上述问题，本发明提供一种异质结太阳电池的电极栅级制作方法，取代目前的丝网印刷低温银浆制作电极栅线，该方法成本较低，制作的电极栅线导电性好，且电池转换效率高。

本发明提供一种异质结太阳电池的电极栅线制作方法，所述方法包括如下步骤：

硅片双面清洗制绒，双面沉积非晶硅，双面沉积透明导电层；

硅片双面沉积金属导电层；

在硅片金属导电层上制作掩膜并固化稳定；

使用激光刻划掉部分掩膜形成所需的电极栅线图形；

对硅片进行清洗和干燥使电极栅线图形下的金属导电层裸露出来；

硅片双面进行电镀形成电极栅线；

将掩膜去掉并刻蚀掉除电极栅线外的金属导电层，制作出成品电池。

优选的，所述硅片为P型硅片或N型硅片中的一种，尺寸规格为M2、G1、M6、M10、G12中的一种，厚度为100-180um。

优选的，所述金属导电层为铜金属导电层，镍金属导电层，银金属导电层，铝金属导电层中的单一膜层或复合膜层。

优选的，所述金属导电层的沉积方法为PVD溅射法，PVD蒸镀法，PVD离子镀法中的一种，沉积厚度为10-1000nm。

优选的，所述掩膜为抗蚀感光干膜、热固性胶膜、UV油墨、抗电镀油墨一种，制作的掩膜覆盖住包含边缘的整片硅片，在电池片边沿位置进行印刷保护，或采用UV固化油墨在电池片边沿进行涂装，涂装方式采用水平滚涂方式。

优选的，所述掩膜的制作方法为热辊压法，丝网印刷法，旋涂法，辊涂法中的一种，掩膜的厚度为6-40um，所述掩膜固化稳定方法为光感固化、热固化、UV固化中的一种。

优选的，所述激光为波长2500-15000nm的远红外激光，激光功率密度0.1-20W/mm²，激光光斑大小0.01-0.5mm，激光刻划速率1-1000mm/s，激光光斑大小控制方法为光栅调整、mask治具挡板等方法或组合方案，所述mask治具上的细栅位置开口线宽为20～100um。