[发明专利]一种异质结太阳电池的电极栅级制作方法

权利要求书

1.一种异质结太阳电池的电极制作，其特征在于：所述方法包括如下步骤：

硅片双面清洗制绒，双面沉积非晶硅，双面沉积透明导电层；

硅片双面沉积金属导电层；

在硅片金属导电层上制作掩膜并固化稳定；

使用激光刻划掉部分掩膜形成所需的电极栅线图形；

对硅片进行清洗和干燥使电极栅线图形下的金属导电层裸露出来；

硅片双面进行电镀形成电极栅线；

将掩膜去掉并刻蚀掉除电极栅线外的金属导电层，制作出成品电池。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述硅片为P型硅片或N型硅片中的一种，尺寸规格为M2、G1、M6、M10、G12中的一种，厚度为100-180um。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述金属导电层为铜金属导电层，镍金属导电层，银金属导电层，铝金属导电层中的单一膜层或复合膜层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述金属导电层的沉积方法为PVD溅射法，PVD蒸镀法，PVD离子镀法中的一种，沉积厚度为10-1000nm。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述掩膜为抗蚀感光干膜、热固性胶膜、UV油墨、抗电镀油墨一种，制作的掩膜覆盖住包含边缘的整片硅片，在电池片边沿位置进行印刷保护，或采用UV固化油墨在电池片边沿进行涂装，涂装方式采用水平滚涂方式。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述掩膜的制作方法为热辊压法，丝网印刷法，旋涂法，辊涂法中的一种，掩膜的厚度为6-40um，所述掩膜固化稳定方法为光感固化、热固化、UV固化中的一种。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述激光为波长2500-15000nm的远红外激光，激光功率密度0.1-20W/mm²，激光光斑大小0.01-0.5mm，激光刻划速率1-1000mm/s，激光光斑大小控制方法为光栅调整、mask治具挡板等方法或组合方案，所述mask治具上的细栅位置开口线宽为20～100um。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述清洗方法为浸泡法或喷淋法的一种，清洗液为弱碱性溶液如碳酸钠、碳酸钾等。干燥方法为常压热风干燥法或减压干燥法的一种。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述掩膜去除使用NaOH，KOH溶液等所用掩膜相对应的强退膜溶液。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的刻蚀金属导电层使用氨水体系、硫酸-双氧水体系、氯化铁体系、硝酸体系等所用金属导电层相对应的刻蚀溶液。