[发明专利]一种磁感式电压隔离IC封装结构及其制备方法

说明书

本发明公开了一种磁感式电压隔离IC封装结构及其制备方法，包括塑封料、引线框架和IC芯片；引线框架和IC芯片设置在塑封料中，引线框架包括高压侧和低压侧，高压侧和低压侧间隔设置，IC芯片设置在高压侧中心位置上，IC芯片和高压侧之间设置有隔离耐压层，隔离耐压层的材料采用陶瓷片或PI膜，低压侧与IC芯片的PAD通过焊线连接。能够同时兼顾检测灵敏性能和产品的隔离耐压性能，保证产品质量和可靠性。

技术领域

本发明属于半导体器件封装领域，涉及一种磁感式电压隔离IC封装结构及其制备方法。

背景技术

在工业控制系统中，被控量往往是大电流或高电压，而控制器则是通过小信号给出控制指令；检测装置检测到大电流或高电压的实际值，输出相应的小信号给比较器，通过与给定量的比较，控制器计算出被控量实际值与目标值的差异，并给执行器指令，执行器通过控制量控制被控对象使被控量向目标值趋近；检测装置是控制系统的反馈装置，在控制系统中起着实时检测被控量是否在目标控制范围的作用。

随着半导体集成电路的发展，检测装置也向集成化发展，霍尔集成传感器IC则应用而生，因IC芯片本身特性无法实现高耐压，则需要IC封装配合实现产品功能需求。如前面所述，检测装置一方面需要实时准确检测被控量，所以需要有良好的灵敏性能；另一方面要实现检测大电流输出小信号，就需要防止大电流与小信号之间被击穿，所以需要产品有足够的隔离耐压性能。

发明内容

本发明的目的在于克服上述现有技术的缺点，提供一种磁感式电压隔离IC封装结构及其制备方法，能够同时兼顾检测灵敏性能和产品的隔离耐压性能，保证产品质量和可靠性。

为达到上述目的，本发明采用以下技术方案予以实现：

一种磁感式电压隔离IC封装结构，包括塑封料、引线框架和IC芯片；

引线框架和IC芯片设置在塑封料中，引线框架包括高压侧和低压侧，高压侧和低压侧间隔设置，IC芯片设置在高压侧中心位置上，IC芯片和高压侧之间设置有隔离耐压层，隔离耐压层的材料采用陶瓷片或PI膜，低压侧与IC芯片的PAD通过焊线连接。

优选的，IC芯片与高压侧的间距L₂关系式为：

V/V₂＜L₂＜k/S；

V为产品的耐压需求值；V₂为陶瓷片或PI膜的耐压能力；k为灵敏度与距离关系系数；S为最小的灵敏度需求值。

优选的，IC芯片上设置有霍尔源，高压侧中心位置远离低压侧的一侧设置有凹槽，霍尔源与凹槽靠近低压侧的一端位置对应。

优选的，隔离耐压层长宽尺寸大于等于IC芯片尺寸。

优选的，IC芯片、陶瓷片或PI膜和高压侧之间均采用绝缘胶或胶膜粘接。

优选的，高压侧和低压侧的最小间距L₁为：

L₁＝V/V₁；

V为产品的耐压需求值，V₁为塑封料的耐压能力。

优选的，高压侧和低压侧均包括多个引脚，高压侧多个引脚之间相互连通，低压侧多个引脚之间间隔设置。

进一步，高压侧和低压侧引脚数量相同。

进一步，高压侧引脚数量为偶数。

一种基于上述任意一项所述磁感式电压隔离IC封装结构的制备方法，包括以下过程；

放置引线框架的高压侧和低压侧；将陶瓷片或PI膜粘到高压侧中心位置上；再将IC芯片粘到陶瓷片或PI膜上；使用焊线连接IC芯片对应PAD和低压侧对应引脚；使用塑封料把焊线完成后的产品封装起来。