[发明专利]一种磁感式电压隔离IC封装结构及其制备方法

权利要求书

1.一种磁感式电压隔离IC封装结构，其特征在于，包括塑封料(1)、引线框架和IC芯片(2)；

引线框架和IC芯片(2)设置在塑封料(1)中，引线框架包括高压侧(3)和低压侧(4)，高压侧(3)和低压侧(4)间隔设置，IC芯片(2)设置在高压侧(3)中心位置上，IC芯片(2)和高压侧(3)之间设置有隔离耐压层(5)，隔离耐压层(5)的材料采用陶瓷片或PI膜，低压侧(4)与IC芯片(2)的PAD(6)通过焊线连接。

2.根据权利要求1所述的磁感式电压隔离IC封装结构，其特征在于，IC芯片(2)与高压侧(3)的最小间距L₂关系式为：

V/V₂＜L₂＜k/S；

V为产品的耐压需求值；V₂为陶瓷片或PI膜的耐压能力；k为灵敏度与距离关系系数；S为最小的灵敏度需求值。

3.根据权利要求1所述的磁感式电压隔离IC封装结构，其特征在于，IC芯片(2)上设置有霍尔源(7)，高压侧(3)中心位置远离低压侧(4)的一侧设置有凹槽(8)，霍尔源(7)与凹槽(8)靠近低压侧(4)的一端位置对应。

4.根据权利要求1所述的磁感式电压隔离IC封装结构，其特征在于，隔离耐压层(5)长宽尺寸大于等于IC芯片(2)尺寸。

5.根据权利要求1所述的磁感式电压隔离IC封装结构，其特征在于，IC芯片(2)、陶瓷片或PI膜和高压侧(3)之间均采用绝缘胶或胶膜粘接。

6.根据权利要求1所述的磁感式电压隔离IC封装结构，其特征在于，高压侧(3)和低压侧(4)的最小间距L₁为：

L₁＝V/V₁；

V为产品的耐压需求值，V₁为塑封料(1)的耐压能力。

7.根据权利要求1所述的磁感式电压隔离IC封装结构，其特征在于，高压侧(3)和低压侧(4)均包括多个引脚，高压侧(3)多个引脚之间相互连通，低压侧(4)多个引脚之间间隔设置。

8.根据权利要求7所述的磁感式电压隔离IC封装结构，其特征在于，高压侧(3)和低压侧(4)引脚数量相同。

9.根据权利要求7所述的磁感式电压隔离IC封装结构，其特征在于，高压侧(3)引脚数量为偶数。

10.一种基于权利要求1-9任意一项所述磁感式电压隔离IC封装结构的制备方法，其特征在于，包括以下过程；

放置引线框架的高压侧(3)和低压侧(4)；将陶瓷片或PI膜粘到高压侧(3)中心位置上；再将IC芯片(2)粘到陶瓷片或PI膜上；使用焊线连接IC芯片(2)对应PAD(6)和低压侧(4)对应引脚；使用塑封料(1)把焊线完成后的产品封装起来。