[发明专利]阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：

基底(11)；

形成在所述基底(11)上的扫描线(121)、栅极(122)和触控引线(123)，所述触控引线(123)包括导线部(1231)和连接部(1232)，所述导线部(1231)位于相邻的两根所述扫描线(121)之间，所述连接部(1232)分别位于所述导线部(1231)的两端并与所述导线部(1231)相连，所述栅极(122)与所述扫描线(121)相连；

对应覆盖在所述扫描线(121)、所述栅极(122)和所述导线部(1231)上的栅极绝缘层(131)，所述连接部(1232)上未覆盖有所述栅极绝缘层(131)；

形成在所述栅极绝缘层(131)上的第二绝缘层(16)，所述第二绝缘层(16)覆盖除所述扫描线(121)、所述栅极(122)和所述触控引线(123)之外的区域，所述连接部(1232)上未覆盖有所述第二绝缘层(16)；

形成在所述第二绝缘层(16)上的源极(181)、漏极(182)、数据线(183)和触控桥接部(184)，其中，所述源极(181)与所述漏极(182)相互间隔形成沟道区(185)，所述数据线(183)与所述源极(181)相连，所述触控桥接部(184)跨越所述扫描线(121)，且所述触控桥接部(184)的两端分别与相邻的两根所述触控引线(123)端部的所述连接部(1232)接触，使相邻两根所述触控引线(123)通过所述触控桥接部(184)电性连接。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：

形成在所述源极(181)、所述漏极(182)、所述数据线(183)和所述触控桥接部(184)上的源极层叠部(192)、漏极层叠部(193)、有源层(191)、数据线层叠部(194)和桥接层叠部(195)，所述有源层(191)位于所述沟道区(185)，所述源极层叠部(192)与所述源极(181)层叠，所述漏极层叠部(193)与所述漏极(182)层叠，所述数据线层叠部(194)与所述数据线(183)层叠，所述桥接层叠部(195)与所述触控桥接部(184)层叠；

所述源极层叠部(192)、所述漏极层叠部(193)、所述有源层(191)、所述数据线层叠部(194)和所述桥接层叠部(195)由金属氧化物半导体材料制作形成，其中所述源极层叠部(192)、所述漏极层叠部(193)、所述数据线层叠部(194)和所述桥接层叠部(195)经过氢化处理或者离子掺杂处理而由半导体转变为导体化，而所述有源层(191)保留为半导体。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：

与所述源极层叠部(192)、所述漏极层叠部(193)、所述有源层(191)、所述数据线层叠部(194)和所述桥接层叠部(195)位于同一层且由相同材料制作形成的像素电极(24)；

所述像素电极(24)与所述漏极层叠部(193)相连，所述像素电极(24)经过氢化处理或者离子掺杂处理而由半导体转变为导体化。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：

形成在所述源极层叠部(192)、所述漏极层叠部(193)、所述有源层(191)、所述桥接层叠部(195)、所述数据线层叠部(194)和所述像素电极(24)上的第三绝缘层(23)，所述第三绝缘层(23)在对应所述桥接层叠部(195)的位置形成第一导通孔(101)；

形成在所述第三绝缘层(23)上的公共电极(25)，所述公共电极(25)填入所述第一导通孔(101)内与所述桥接层叠部(195)接触，所述公共电极(25)通过所述桥接层叠部(195)以及所述触控桥接部(184)与所述触控引线(123)导电连接。