[发明专利]半导体存储器装置

说明书

提供了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置可以具有：基底，包括存储器单元区域中的有源区和外围区域中的逻辑有源区；元件隔离结构，位于有源区与逻辑有源区之间；绝缘层图案，覆盖有源区；以及支撑绝缘层。绝缘层图案可以包括沿着元件隔离结构延伸的延伸部分，可以与元件隔离结构间隔开，并且可以悬于元件隔离结构之上。支撑绝缘层可以填充限定在延伸部分与元件隔离结构之间的凹陷空间。

本申请基于并要求于2020年12月10日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0172575号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

发明构思涉及半导体存储器装置，并且更具体地，涉及具有存储器单元区域和外围区域的半导体存储器装置。

背景技术

随着电子工业的快速发展并且为了满足用户的需求，电子装置变得越来越紧凑和越来越轻。因此，电子装置中使用的半导体存储器装置也可能需要高度集成，并且用于半导体存储器装置的构造的设计规则可以减少，从而得到微结构(fine structure)。

发明内容

发明构思涉及能够确保可靠性的半导体存储器装置。

根据发明构思的实施例的半导体存储器装置可以包括：基底，包括存储器单元区域、在存储器单元区域中的有源区、外围区域和在外围区域中的逻辑有源区；元件隔离结构，位于有源区与逻辑有源区之间，元件隔离结构限定有源区和逻辑有源区；绝缘层图案，覆盖有源区，绝缘层图案包括延伸部分，延伸部分沿着元件隔离结构延伸，与元件隔离结构间隔开，并且悬于元件隔离结构之上；以及支撑绝缘层，填充限定在延伸部分与元件隔离结构之间的凹陷空间。

根据发明构思的实施例的半导体存储器装置可以包括：基底，包括存储器单元区域、在存储器单元区域中的有源区、外围区域和在外围区域中的逻辑有源区；元件隔离结构，位于有源区与逻辑有源区之间，元件隔离结构限定有源区和逻辑有源区；绝缘层图案，覆盖有源区，绝缘层图案具有堆叠结构，在堆叠结构中，第二绝缘层图案在第一绝缘层图案上，第一绝缘层图案在有源区与逻辑有源区之间的元件隔离结构之上延伸；以及支撑绝缘层，位于绝缘层图案与元件隔离结构之间。第一绝缘层图案可以包括第一延伸部分。第二绝缘层图案可以包括第二延伸部分。第二延伸部分的延伸长度可以大于第一延伸部分的延伸长度。第一延伸部分和第二延伸部分中的每个可以沿着元件隔离结构延伸，可以与元件隔离结构间隔开，并且可以悬于元件隔离结构之上。支撑绝缘层可以填充限定在元件隔离结构与第二延伸部分的在元件隔离结构之上从第一延伸部分延伸的部分之间的凹陷空间。