[发明专利]用于增强图案化的停止蚀刻层沉积

权利要求书

1.一种方法，其包括：

在衬底的基材(M1)的顶部添加光致抗蚀剂材料(M2)，M2限定用于在M1上方不存在M2的区域中蚀刻M1的图案；

在添加M2后，用氧化物材料(M3)保形地覆盖所述衬底；

在所述保形地覆盖后，用填充材料M4对所述衬底进行间隙填充；

使填充材料M4转变为填充材料M4-2；

在所述转变之后，使停止蚀刻材料(M5)选择性地在M3的暴露表面上生长而不在M4-2的表面上生长；

在选择性地生长M5之后，从所述衬底上去除M4-2；以及

在去除M4-2之后蚀刻所述衬底，以将所述图案转移到M1中。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在去除M4之后蚀刻所述衬底还包括：

蚀刻所述衬底中M3的暴露表面；以及

继续蚀刻所述衬底以将所述图案转移到M1中。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，M2是碳基材料。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，M3是二氧化硅或氧化铝中的一种。

5.根据权利要求1所述的方法，其中M4是CHx表面，其中M4-2是CFx表面。

6.根据权利要求1所述的方法，其中转变所述填充材料M4包括：

通过氟化M4使将M4转变为M4-2。

7.根据权利要求1所述的方法，其中M5是金属氧化物或氧氮化物。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，用M3保形地覆盖所述衬底还包括：

执行低损伤等离子体增强的原子层沉积。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，用填充材料M4对所述衬底进行间隙填充还包括：

交替沉积M4和蚀刻M4以填充所述衬底中的间隙。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，选择性地生长M5还包括：

利用原子层沉积工艺来沉积M5。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，从所述衬底去除M4-2还包括：

进行等离子体灰化以去除M4-2。

12.一种半导体制造装置，其包括：

处理室；和

控制器，其用于控制所述处理室内的衬底的处理，其中，所述控制器使所述处理室执行操作，所述操作包括：

在衬底的基材(M1)的顶部添加光致抗蚀剂材料(M2)，M2限定用于在M1上方不存在M2的区域中蚀刻M1的图案；

在添加M2后，用氧化物材料(M3)保形地覆盖所述衬底；

在所述保形地覆盖后，用填充材料M4对所述衬底进行间隙填充；

使填充材料M4转变为填充材料M4-2；

在所述转变之后，使停止蚀刻材料(M5)选择性地在M3的暴露表面上生长而不在M4-2的表面上生长；

在选择性地生长M5之后，从所述衬底上去除M4-2；以及

在去除M4-2之后蚀刻所述衬底，以将所述图案转移到M1中。

13.一种方法，包括：

在衬底的基材(M1)的顶部添加光致抗蚀剂材料(M2)，M2限定用于在M1上方不存在M2的区域中蚀刻M1的图案；

在添加M2后，用氧化物材料(M3)保形地覆盖所述衬底；

在所述保形地覆盖所述衬底后，沉积保形材料(M6)的层；

在沉积M6之后，用填充材料M4对所述衬底进行间隙填充；

在所述间隙填充之后从所述衬底去除M4；

在去除M4之后，使停止蚀刻材料(M5)选择性地在M3的暴露表面上生长而不在M4的表面上生长；

在选择性地生长M5之后，从所述衬底上去除M4；以及

在去除M4之后蚀刻所述衬底，以将所述图案转移到M1中。