[发明专利]一种背栅调制器件及其制备方法、存储器、逻辑器件

权利要求书

1.一种背栅调制器件，其特征在于，包括：

硅衬底；

ONO层，填充于所述硅衬底上形成的空腔内；

单晶硅层，形成于所述ONO层上；

栅极，形成于所述单晶硅层上；

第一侧墙，环绕在所述栅极的侧壁周围，设置于所述单晶硅层上；

第二侧墙，环绕在所述第一侧墙的侧壁周围，设置于所述单晶硅层上；

第一源漏极，设置于所述硅衬底上，处于所述单晶硅层的一旁侧；

第二源漏极，设置于所述硅衬底上，处于所述单晶硅层的另一旁侧。

2.根据权利要求1所述的背栅调制器件，其特征在于，还包括：

浅槽隔离结构，形成于所述硅衬底中；

所述第一源漏极和所述第二源漏极，均设置于所述浅槽隔离结构围成的硅衬底区域内。

3.根据权利要求1或2所述的背栅调制器件，其特征在于，

所述ONO层包括依次设置的隧穿氧化层、氮化层以及阻挡氧化层；其中，所述阻挡氧化层设置于所述硅衬底上。

4.根据权利要求1或2所述的背栅调制器件，其特征在于，

所述第一侧墙为氮化硅层，

所述第二侧墙为氧化硅层。

5.根据权利要求1或2所述的背栅调制器件，其特征在于，

所述栅极由浮栅结构组成。

6.根据权利要求1或2所述的背栅调制器件，其特征在于，

所述栅极由多晶硅和氮氧化硅组成。

7.一种存储器，其特征在于，所述存储器包括权利要求1～5中任一权利要求所述的背栅调制器件。

8.一种逻辑器件，其特征在于，所述逻辑器件包括权利要求1～4、6中任一权利要求所述的背栅调制器件。

9.一种背栅调制器件的制备方法，其特征在于，包括：

提供硅衬底；

在所述硅衬底中形成浅槽隔离结构；

在由所述浅槽隔离结构包围的硅衬底的表面外延生长出一层牺牲层，以及在所述牺牲层上形成单晶硅层；

在所述单晶硅层上形成栅极，以及在所述栅极的侧壁上形成第一侧墙和在所述第一侧墙的侧壁上形成第二侧墙；

通过依次垂直刻蚀所述单晶硅层和所述牺牲层的方式露出所述牺牲层；

通过刻蚀掉所述牺牲层形成空腔，并露出所述硅衬底和所述单晶硅层；

在所述硅衬底与所述单晶硅层之间的所述空腔中形成ONO层；

在所述浅槽隔离结构围成的硅衬底区域内形成第一源漏极和第二源漏极。

10.根据权利要求9所述的背栅调制器件的制备方法，其特征在于，在所述硅衬底与所述单晶硅层之间的所述空腔中形成ONO层包括：

在露出的单晶硅层的表面生长隧穿氧化层和在露出的硅衬底的表面生长阻挡氧化层；

在所述隧穿氧化层和所述阻挡氧化层之间填充氮化层。