[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

本发明提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括基底、隔离结构、多个位线结构、多个字线结构、多个位线接触件以及多个接垫。基底包括胞元区和周边区。隔离结构设置于基底的胞元区中以界定多个主动区。位线结构彼此平行地设置在基底中，且各自在第一水平方向上延伸并跨过多个主动区。字线结构彼此平行地设置在基底上，且各自在第二水平方向上延伸。位线接触件设置在基底上以及所述字线结构之间，其中位线接触件的顶表面低于字线结构的顶表面。接垫设置在所述位线接触件的顶表面上且与位线接触件电连接。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。

背景技术

存储器主要可分为诸如动态随机存取存储器(dynamic random access memory，DRAM)等的挥发性存储器(volatile memory)以及诸如闪存存储器(flash memory)等的非挥发性存储器(non-volatile memory)。一般而言，DRAM可包括具有用以存储载流子的存储节点(storage node)，其通常需要在DRAM的胞元区中形成将存储节点电接连至存储节点接触件(storage node contact)的存储接垫(storage pad)，以改善存储节点和存储节点接触件之间的对位问题。

然而，上述形成存储接垫的制作工艺通常需要多道光刻制作工艺来定义，且在形成的过程中也容易破坏到其他膜层中的结构、配线或是元件，如此将面临元件表现(deviceperformance)不佳、制作工艺良率不佳以及制造成本昂贵的问题。

发明内容

本发明提供一种半导体装置及其制造方法，其在形成过程中可省略至少一道光掩模且也不易破坏到其他膜层中的结构、配线或是元件，使得半导体装置具有至少以下优点：良好的制作工艺良率、具竞争力的成本以及良好的元件表现。

本发明一实施例提供一种半导体装置，其包括基底、隔离结构、多个位线结构、多个字线结构、多个位线接触件以及多个接垫。基底包括胞元区和周边区。隔离结构设置于基底的胞元区中以界定多个主动(有源)区。主动区中的每一者在长轴方向延伸。长轴方向是相对于第一水平方向和第二水平方向的对角方向，而第一水平方向垂直于第二水平方向。位线结构彼此平行地设置在基底中且各自在第一水平方向上延伸并跨过多个主动区。字线结构彼此平行地设置在基底上且各自在第二水平方向上延伸。位线接触件设置在基底上以及字线结构之间，其中位线接触件的顶表面低于字线结构的顶表面。接垫设置在位线接触件的顶表面上且与位线接触件电连接。

在一些实施例中，半导体装置还包括设置在字线结构上并环绕接垫的绝缘层。接垫包括被绝缘层环绕的第一部分以及在第一部分下方并位于字线结构的侧壁上的第二部分。第一部分的宽度在远离第二部分的方向上逐渐减少。

在一些实施例中，第一部分的宽度大于第二部分的宽度。

在一些实施例中，接垫的第二部分的宽度约等于位线接触件的宽度。

在一些实施例中，半导体装置还包括各自在第二水平方向上延伸且在第一水平方向上彼此间隔开来的多个挡墙结构。每个挡墙结构为蛇状图案且包括设置在字线结构上的多个弯曲部分以及连接多个弯曲部分的多个直线部分。挡墙结构的弯曲部分与接垫接触。

在一些实施例中，半导体装置，还包括设置在字线结构上且位于多个接垫之间以及多个挡墙结构之间的绝缘层。

在一些实施例中，接垫包括与挡墙结构接触的第一侧壁以及与绝缘层接触的第二侧壁。