[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

基底，包括胞元区和周边区；

隔离结构，设置于所述基底的所述胞元区中以界定多个主动区，其中多个所述主动区中的每一者在长轴方向延伸，所述长轴方向是相对于第一水平方向和第二水平方向的对角方向，所述第一水平方向垂直于所述第二水平方向；

多个位线结构，彼此平行地设置在所述基底中，且各自在所述第一水平方向上延伸并跨过多个所述主动区；

多个字线结构，彼此平行地设置在所述基底上，且各自在所述第二水平方向上延伸；

多个位线接触件，设置在所述基底上以及多个所述字线结构之间，其中所述位线接触件的顶表面低于所述字线结构的顶表面；以及

多个接垫，分别设置在多个所述位线接触件的所述顶表面上且与所述位线接触件电连接。

2.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：

绝缘层，设置在多个所述字线结构上并环绕多个所述接垫，

其中所述接垫包括被所述绝缘层环绕的第一部分以及在所述第一部分下方并位于所述字线结构的侧壁上的第二部分，

其中所述第一部分的宽度在远离所述第二部分的方向上逐渐减少。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其中所述第一部分的所述宽度大于所述第二部分的宽度。

4.如权利要求2所述的半导体装置，其中所述接垫的所述第二部分的宽度约等于所述位线接触件的宽度。

5.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：

多个挡墙结构，各自在所述第二水平方向上延伸且在所述第一水平方向上彼此间隔开来，其中每个所述挡墙结构为蛇状图案且包括设置在所述字线结构上的多个弯曲部分以及连接多个所述弯曲部分的多个直线部分，

其中所述挡墙结构的所述弯曲部分与所述接垫接触。

6.如权利要求5所述的半导体装置，还包括：

绝缘层，设置在多个所述字线结构上且位于多个所述接垫之间以及多个所述挡墙结构之间。

7.如权利要求6所述的半导体装置，其中所述接垫包括与所述挡墙结构接触的第一侧壁以及与所述绝缘层接触的第二侧壁。

8.一种半导体装置的制造方法，包括：

在基底的胞元区中形成隔离结构以界定多个主动区，其中多个所述主动区中的每一者在长轴方向延伸，所述长轴方向是相对于第一水平方向和第二水平方向的对角方向，所述第一水平方向垂直于所述第二水平方向；

在所述基底中形成彼此平行的多个位线结构，所述位线结构中的每一者在所述第一水平方向上延伸并跨过多个所述主动区；

在所述基底上形成彼此平行的多个字线结构，所述字线结构中的每一者在所述第二水平方向上延伸；

在所述基底上以及多个所述字线结构之间形成多个位线接触件图案；

通过选择性外延生长以自多个所述位线接触件图案中的每一者的顶表面上形成外延图案；

在多个所述字线结构上形成绝缘层，以覆盖所述外延图案的侧壁；

以所述绝缘层为掩模，移除所述外延图案以及位于所述外延图案下方的所述位线接触件图案的一部分，以形成多个位线接触件以及暴露出所述位线接触件的顶表面、所述字线结构的侧壁以及所述绝缘层的侧壁的多个开口；以及

在每个所述开口中形成与所述位线接触件电连接的接垫。

9.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中所述外延图案的宽度在远离所述位线接触件图案的所述顶表面的方向上逐渐减少。

10.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中所述外延图案在底表面处的所述宽度大于所述元线接触件图案的宽度。