[发明专利]分栅快闪存储器件及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202111149739.5 申请日: 2021-09-29
公开(公告)号: CN113871388A 公开(公告)日: 2021-12-31
发明(设计)人: 王旭峰;于涛;李冰寒 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: H01L27/11521 分类号: H01L27/11521
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 周耀君
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 分栅快 闪存 器件 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种分栅快闪存储器件,其特征在于,包括:

衬底,包括功能区、第一连接区及第二连接区,所述第一连接区位于所述功能区及所述第二连接区之间;

若干沿第一方向排布的字线栅线,位于所述衬底上,且从所述功能区沿第二方向延伸至所述第一连接区和所述第二连接区;

若干沿第一方向排布的栅极线组,位于所述衬底上,每个所述栅极线组位于相邻两条所述字线栅线之间,且每个所述栅极线组包括两条浮栅线和两条控制栅线,所述控制栅线位于对应的所述浮栅线上,所述浮栅线从所述功能区沿所述第二方向延伸至所述第一连接区,所述控制栅线从所述功能区沿所述第二方向延伸至所述第一连接区和所述第二连接区;

若干沿第一方向排布的擦除栅线,位于所述衬底上,每条所述擦除栅线位于对应的栅极线组的两条所述浮栅线之间和两条所述控制栅线之间,每条所述擦除栅线包括第一部分和第二部分,所述第一部分位于所述功能区中,所述第二部分位于所述第二连接区中且沿所述第一方向与相邻的两条所述控制栅线电性连接;

若干沿第一方向排布的源极线,位于所述擦除栅线的下方的衬底内,且从所述功能区沿所述第二方向延伸至所述第一连接区和所述第二连接区;

若干第一电连接件和第二电连接件,分别位于所述第一连接区和所述第二连接区内,所述第一电连接件与所述源极线位于所述第一连接区的部分电性连接,所述第二电连接件与所述擦除栅线的第二部分电性连接。

2.如权利要求1所述的分栅快闪存储器件,其特征在于,还包括若干沿所述第一方向排布的第一侧墙,所述第一侧墙包括第一子侧墙、第二子侧墙及第三子侧墙;所述第一子侧墙位于所述控制栅线上,且从所述功能区沿所述第二方向延伸至所述第一连接区和所述第二连接区;所述第二子侧墙覆盖所述控制栅线与所述擦除栅线相邻的侧面及所述第一子侧墙的至少部分表面,所述第三子侧墙覆盖所述浮栅线与所述擦除栅线相邻的侧面及所述第二子侧墙的至少部分表面,且所述第二子侧墙及所述第三子侧墙均从所述功能区沿所述第二方向延伸至所述第一连接区。

3.如权利要求2所述的分栅快闪存储器件,其特征在于,还包括若干沿所述第一方向排布的第二侧墙和第三侧墙,所述第二侧墙覆盖所述第一子侧墙、所述控制栅线及所述浮栅线远离所述擦除栅线的侧面,所述字线栅线覆盖所述第二侧墙的至少部分表面,所述第三侧墙覆盖所述字线栅线的至少部分表面,且所述第二侧墙及所述第三侧墙均从所述功能区沿所述第二方向延伸至所述第一连接区和所述第二连接区。

4.如权利要求1所述的分栅快闪存储器件,其特征在于,还包括若干沿所述第二方向排布的漏极线,所述漏极线位于所述衬底内的功能区中且沿所述第一方向延伸;以及,还包括若干第三电连接件,位于所述功能区内,所述第三电连接件与所述漏极线电性连接。

5.如权利要求4所述的分栅快闪存储器件,其特征在于,还包括层间介质层,所述层间介质层覆盖所述衬底、所述字线栅线及所述擦除栅线,所述第一电连接件贯穿所述层间介质层与所述源极线位于所述第一连接区的部分电性连接,所述第二电连接件贯穿所述层间介质层与所述擦除栅线的第二部分电性连接,所述第三电连接件贯穿所述层间介质层与所述漏极线电性连接。

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