[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其具有包含第1导电型的漂移层的半导体基板，该半导体装置在俯视观察时IGBT区域和二极管区域将边界区域夹设于它们之中而配置，

所述半导体基板具有第1主面及与所述第1主面相对的第2主面，

所述IGBT区域及所述边界区域具有：

第2导电型的基极层，其形成于所述漂移层的所述第1主面侧；

第1导电型的源极层，其形成于所述基极层的所述第1主面侧；

第2导电型的第1接触层，其在所述基极层的所述第1主面侧与所述源极层相邻地形成，第2导电型杂质浓度比所述基极层高；以及

第2导电型的集电极层，其形成于所述漂移层的所述第2主面侧，

所述二极管区域具有：

第2导电型的阳极层，其形成于所述漂移层的所述第1主面侧；以及

第1导电型的阴极层，其形成于所述漂移层的所述第2主面侧，

在俯视观察时，所述边界区域的单位面积中的所述源极层的占有比率比所述IGBT区域的单位面积中的所述源极层的占有比率小，所述边界区域的单位面积中的所述第1接触层的占有比率比所述IGBT区域的单位面积中的所述第1接触层的占有比率小。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述二极管区域在所述阳极层的所述第1主面侧具有第2导电型的第2接触层，该第2导电型的第2接触层与所述阳极层相比第2导电型的杂质浓度高，

在俯视观察时，所述边界区域的单位面积中的所述第1接触层的占有比率比所述二极管区域的单位面积中的所述第2接触层的占有比率小。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

所述IGBT区域、所述二极管区域及所述边界区域还具有：

层间绝缘膜，其形成于所述半导体基板的所述第1主面之上，具有露出所述第1主面的接触孔；以及

发射极电极，其隔着所述层间绝缘膜而形成于所述半导体基板的所述第1主面之上，

在所述边界区域中，在所述第1主面的没有形成所述源极层或所述第1接触层的区域露出所述基极层，露出的所述基极层经由所述接触孔与所述发射极电极电接触。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，

在俯视观察时，所述边界区域的单位面积中的所述源极层的占有比率从所述IGBT区域侧朝向所述二极管区域侧逐渐变小。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，

在所述边界区域中，在所述第1主面的没有形成所述源极层或所述第1接触层的区域的至少一部分，没有形成所述基极层。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，

所述阳极层的第2导电型杂质浓度比所述基极层的第2导电型杂质浓度低。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

在所述边界区域中，在所述第1主面的没有形成所述源极层或所述第1接触层的区域中的没有形成所述基极层的区域，形成所述阳极层。

8.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述IGBT区域及所述边界区域具有多个沟槽栅极，该多个沟槽栅极从所述第1主面起贯穿所述基极层而到达所述漂移层，在第1方向延伸，在与所述第1方向正交的第2方向排列，

所述二极管区域具有多个第1哑沟槽栅极，该多个第1哑沟槽栅极从所述第1主面起贯穿所述阳极层贯穿而到达所述漂移层，在所述第1方向延伸，在所述第2方向排列。